Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН  
СТРУКТУРА   НАШИ КООРДИНАТЫ   ОБ ИНСТИТУТЕ   НАПРАВЛЕНИЯ   УЧЕНЫЙ СОВЕТ   ДИССЕРТАЦИОННЫЙ СОВЕТ   КОНКУРСЫ/ВАКАНСИИ   ОБРАЗОВАНИЕ   ШКОЛЫ И КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ДОСКА ОБЪЯВЛЕНИЙ  
 СТРУКТУРА | ДИРЕКЦИЯ | ЛАБОРАТОРИИ | АСИЦ 

ПУБЛИКАЦИИ ЛАБОРАТОРИИ РАДИАЦИОННО - СТИМУЛИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ





слово,
как прописано:


лаборатория N9
Основная
Персонал
    Статьи
    1. Леонов А.В., Бараночников М.Л., "Использование двухэлементных преобразователей магнитного поля для регулирования динамического диапазона магнитометрических устройств", Приборы и техника эксперимента, V, N2, c.1, 2011г.
    2. Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Мордкович В.Н., Пажин Д.М., "Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур "кремний на изоляторе"", Физика и Техника Полупроводников, V45, N6, c.754, 2011г.
    3. Громов Д.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М., Скоробогатов П. К., "Релаксационные эффекты в полевых датчиках Холла при воздействии импульса ионизирующего облучения", Электронная техника. Серия 2 - Полупроводниковые приборы, V, N1, c.19, 2011г.
    4. Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., "Радиационная стойкость полевого датчика Холла", Сборник "Химическая и радиационная физика", серия "Космический вызов ХХ1 века", том 4, Москва: Торус Пресс, V4, N, c.232, 2010г.
    5. Горячев В.Г., Енишерлова К.Л., Мордкович В.Н., Темпер Э.М, "Влияние ионизирующих излучений на свойства границы раздела в КНИ структурах, полученных с использованием метода прямого соединения", Вопр. атомной науки и техники, сер. Физ. радиац. воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, V, N3, c.26, 2010г.
    6. Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.м., Филатов М.М., Гончаров В.П., "Влияние гамма-облучения при различных температурах на характеристики полевого датчика Холла", Электронная техника. Серия 2 - Полупроводниковые приборы, V, N2, c.38, 2009г.
    7. Бараночников М.Л., Леонов А.В., Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М., "Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двухзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл", Нано- и Микросистемная техника, V-, N12, c.45, 2008г.
    8. Мордкович В.Н., "Датчики на основе структур "кремний на изоляторе"", Электронная техника. Серия 2 - Полупроводниковые приборы, V-, N2, c.34, 2008г.
    9. А.Д.Мокрушин, В.Н.Мордкович, Н.М.Омельяновская, М.М.Филатов, "Температурно-радиационные эффекты в полевом датчике Холла", Вопр. атомной науки и техники, сер. Физ. радиац. воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, V, N3-4, c.45, 2007г.
    10. В.Н.Мордкович, А.Д.Мокрушин, Н.М.Омельяновская, "Влияние низкополевой инжекции носителей тока на электрические свойства МОП структур", Физика и Техника Полупроводников, V41, N6, c.721, 2007г.
    11. Бараночников М.Л., "Устройство для намагничивания постоянных магнитов", Радио, г. Минск, V, N1, c.58, 2006г.
    12. Бараночников М.Л., "Несколько слов об электронном компасе", Радио, г. Минск, V, N2, c.35, 2006г.
    13. Бараночников М.Л., "Цифровой измеритель тока", Радио, г. Минск, V, N10, c.28, 2006г.
    14. Бараночников М.Л., "Альфа тета биорезонатор", Радио, г. Минск, V, N7, c.14, 2006г.
    15. Самаров Э.Н., Мокрушин А.Д., Масалов В.М., Абросимова Г.Е., Емельченко Г.А., "Структурная модификация синтетических опалов в процессе их термообработки", Физика Твердого Тела, V48, N7, c.1212, 2006г.
    16. Бардышев И.И., Мокрушин А.Д., Прибылов А.А., Самаров Э.Н., Масалов В.М., Карпов И.А., Емельченко Г.А., "Пористая структура синтетических опалов", Коллоидный журнал, V68, N1, c.25, 2006г.
    17. Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., Омельяновская Н. М., Филатов М.М., "Влияние гамма-облучения на подвижность электронов в тонком слое кремния КНИ-структуры", Вопр. атомной науки и техники, сер. Физ. радиац. воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, V, N1, c.62, 2006г.
    18. К.Д.Щербачев, В.Т.Бублик, В.Н.Мордкович, Д.М.Пажин, "Особенности радиационно-индуцированного изменения структурных свойств кремния, находящегося под воздействием упругого и электрического полей", Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, V, N2, c.64, 2006г.
    19. · В.В. Аристов, В.Н. Мордкович, П.П. Мальцев., "Технология "кремний-на-изоляторе" в микросистемной технике.", Нано- и Микросистемная техника, V, N12, c.41, 2006г.
    20. Бараночников М.Л., Леонов А.В., Мальцев П.П., Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М., ""Полевой датчик Холла на основе структур "Кремний-На-Изоляторе"", Мир электроники. Сборник статей под редакцией Мальцева П.П., V, N, c.436, 2005г.
    21. Бараночников М.Л., "Простой пробник для проверки р-п переходов", Радио, г. Минск, V, N12, c.21, 2005г.
    22. Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., "Радиационно-инжекционные эффекты в кремниевых МОП-конденсаторах", Вопр. атомной науки и техники, сер. Физ. радиац. воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, V, N1, c.62, 2005г.
    23. Бараночников М.Л., Леонов А.В., Мальцев П.П., Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М., "Полевой датчик Холла на основе структур "Кремний-На-Изоляторе"", Мир электроники. Сборник статей под редакцией Мальцева П.П., V, N, c.436, 2005г.
    24. M.Yu.Barabanenkov, V.V.Aristov, V.N.Mordkovich, "SOI Technology as a basis for microphotonic-microelectronic integrated devices", NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry (Kluwer Acad Publ), V185, N, c.27, 2005г.
    25. K. D. Shcherbachev, V. T. Bublik, V. N. Mordkovich and D. M. Pazhin, "The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates", J Physics D: Appl. Phys, V, N38, c.126, 2005г.
    26. В.Н. Мордкович. Д.М. Пажин, "Новый магниточувствительный элемент для приборов измерения магнитного поля", Ежегодник Российского национального комитета по защите от неионизирующих излучений, V, N, c.124, 2005г.
           © ИПТМ РАН, 1996-2012