Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН  
СТРУКТУРА   НАШИ КООРДИНАТЫ   ОБ ИНСТИТУТЕ   НАПРАВЛЕНИЯ   УЧЕНЫЙ СОВЕТ   ДИССЕРТАЦИОННЫЙ СОВЕТ   КОНКУРСЫ/ВАКАНСИИ   ОБРАЗОВАНИЕ   ШКОЛЫ И КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ДОСКА ОБЪЯВЛЕНИЙ  
 СТРУКТУРА | ДИРЕКЦИЯ | ЛАБОРАТОРИИ | АСИЦ 

ПУБЛИКАЦИИ ЛАБОРАТОРИИ ИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ





слово,
как прописано:


лаборатория N8
Основная
Персонал
    Статьи
    1. Ю.А.Агафонов,А.Ф.Вяткин,А.н.Пустовит, "" Эволюция профилей распределения бора и марганца , имплантированных в Si, SiO2 и GaAs при температурах 300К и 90К "", Вест. Нижегородского Университета, V5, N1, c.42, 2011г.
    2. А.Ф.Вяткин, В.И.Зиненко, "Диагностика отказов интегральных микросхем с использованием физического ионного распыления", Приборы и техника эксперимента, V, N2, c.132, 2011г.
    3. А.Ф.Вяткин, В.И.Зиненко, А.И.Ильин, О.В.Трофимов, "Планаризация пространственно-неоднородных структур с использованием физического ионного распыления", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N12, c.59, 2011г.
    4. Ю.А.Агафонов,А.Ф.Вяткин,А.Н.Пустовит, "ЭВОЛЮЦИЯ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ БОРА И МАРГАНЦА, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В Si, SiO2 И GaAs ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ 300 К И 90 К", Вест. Нижегородского Университета, V, N5(1), c.42, 2011г.
    5. А.Ф.Орлов, Л.А.Балагуров, И.В.Кулеманов, Ю.Н.Пархоменко, А.В.Картавых, В.В.Сарайкин, Ю.А.Агафонов, В.И.Зиненко, "Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем", Физика и Техника Полупроводников, V44, N1, c.30, 2010г.
    6. А.Н.Пустовит, "Диагностика методом ВИМС структуры нонометровых полупроводниковых слоев, легированных примесями", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.101, 2010г.
    7. А.Н.Пустовит, "Неупругие столкновения атомных частиц средних энергий в твердых телах", Известия РАН, сер. Физическая, V74, N2, c.184, 2010г.
    8. А.Ф.Орлов, А.Б.Грановский, Л.А.Балагуров, И.В.Кулеманов, Ю.Н.Пархоменко, Н.С.Перов, Е.А.Ганьшина, В.Т.Бублик, К.Д.Щербачев, А.В.Картавых, В.И.Вдовин, А.Сапелкин, Ю.А.Агафонов, В.И.Зиненко, А.Рогалев, А.Смехова, "Структура, электрические и магнитные свойства и природа ферромагнетизма при комнатной температуре в кремнии, имплантированном марганцем", ЖЭТФ, V136, N10, c.703, 2009г.
    9. А.Ф.Орлов, В.Т.Бублик, В.И.Вдовин, Ю.А.Агафонов, Л.А.Балагуров, В.И.Зиненко, И.В.Кулеманов, К.Д.Щербачев, "О состоянии имплантированной примеси Mn в Si", Кристаллография, V54, N4, c.596, 2009г.
    10. A.F.Orlov, L.A.Balagurov, I.V.Kulemanov, Yu.N.Parkhomenko, A,V.Rartavykh, V.V.Saraikin, Yu.A.Agafonov and V.I.Zinenko, "Charge Carriers Compensation in Ferromagnetic Mn- Implanted Si", The Open Applied Physics Journal, V, N2, c.20, 2009г.
    11. А.Ф.Орлов, Ю.А.Агафонов, Л.А.Балагуров, В.Т.Бублик, В.И.Зиненко, Н.С.Петров, В.В.Сарайкин, К.Д.Щербачев, "Исследование структурных характеристик ферромагнитного Si, имплантированного Mn", Кристаллография, V53, N4, c.696, 2008г.
    12. S.N.Shilobreeva, L.L.Kashkarov, M.Yu.Barabanenkov, A.N.Pustovit, V.I.Zinenko, Yu.A.Agafonov, "Proton and temperature-induced competitive segregation of iron on surface and volume sinks of silica", Nucl. Instrum. & Methods B, V256, N, c.216, 2007г.
    13. А.Б.Грановский, Ю.П.Сухоруков, А.Ф.Орлов, Н.С.Перов, А.В.Королев, Е.А.Ганьшина, В.И.Зиненко, Ю.А.Агафонов, В.В.Сарайкин, А.В.Телегин,Д.Г.Яркин, "Ферромагнетизм кремния, имплантированного Mn; намагниченность и магнито-оптический эффект Фарадея", Письма в ЖЭТФ, V85, N7, c.414, 2007г.
    14. К.В.Руденко,А.В.Мяконьких,А.А.Орликовский,А.Н.Пустовит, "Зондовые измерения параметров плазмы в технологических HDP-реакторах микроэлектроники в условиях осаждения диэлектрических пленок", Микроэлектроника, V36, N1, c.17, 2007г.
    15. В.Г.Бешенков,А.Г.Знаменский,В.А.Марченко,А.Н.Пустовит,А.В.Черных, "Расширение области температур эпитаксиального роста пленок YSZ на Si [100] при магнетронном напылении", Ж. Техн. Физики, V77, N5, c.102, 2007г.
    16. A.N.Georgobiani,A.N.Gruzintsev,V.T.Volkov,A.N.Pustovit,V.I.Dernin,V.A.Dravin,I.F.Gushin, "Luminescence of ZnO Films Implanted with Au+ Ions and Annealed in Oxygen Radicals", Краткие сообщения по физике ФИАН, V34, N6, c.159, 2007г.
    17. S.N.Shilobreeva, L.L.Kashkarov, M.Yu.Barabanenkov, A.N.Pustovit, V.I.Zinenko, and Yu.A.Agafonov, ""Proton Stimulated Redistribution of Fe Atoms in Quartz: Experimental Modeling of the Space Radiation Effects"", Doklady Earth Sciences, V411, N9, c.1466, 2006г.
    18. А.Н. Пустовит, А.Ф. Вяткин, "ВИМС-диагностика нанометровых полупроводниковых структур с использованием ионов цезия", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N, c.65, 2006г.
    19. А.Н. Пустовит, "Неупругие столкновения атомных частиц средних энергий. Качественная модель потерь энергии при столкновении", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.41, 2006г.
    20. K.Rudenko,S.Averkin,V.Lukichev,A.Orlikovsky,A.Pustovit,A.Vyatkin, "Ultra Shallow p(+) - n Junctions in Si Produced by Immersion Ion Implantation", Proceedings of SPIE, V6260, N, c.6260031, 2006г.
    21. S.N.Shilobreva,L.L.Kashkarov,M,Yu.Barabanenkov,A.N.Pustovit,V.I.Zinenko,and Yu.A.Agafonov, "Proton-Stimulated Redistribution of Fe Atoms in Quartz: Experimental Modeling of the Space Radiation Effect", Doklady Earth Sciences, V411A,November-Decemb, N9, c.1466, 2006г.
    22. V.Avrutin,U.Ozgur,H.Lee,H.Morkoc,A. Che Mofor,A. El-Shaer,A.Bakin,A.Waag,N.Izyumskaya,W.Schoch,F.Reuss,V.Beshenkov,A.N.Pustovit,A.F,Vyatkin, "Optical and Electrical Properties of ZnMnO Layers Grown by Peroxide MBE", Superlattiсes and Microstructures, V39, N, c.291, 2006г.
    23. A.F.Vyatkin, V.I.Zinenko, Yu.A.Agafonov, A.N.Pustovit, D.V.Roshchupkin, F.Reuss, C.Kirshner, R.Kling, A.Waag, "High-dose V+ implantation in ZnO thin film structures", Nucl. Instrum. & Methods B, V237, N, c.179, 2005г.
    24. В.И.Зиненко, Ю.А.Агафонов, А.Ф.Вяткин, А.Н.Пустовит,, "Получение мелко залегающих профилей распределения атомов бора в кремнии методом имплантации атомов отдачи", Вест. Нижегородского Университета, V8, N1, c.5, 2005г.
    25. В.И.Зиненко,Ю.А.Агафонов, А.Ф. Вяткин,А.Н. Пустовит, "Получение мелко залегающих профилей распределения атомов бора в кремнии методом имплантации атомов отдачи", Вест. Нижегородского Университета, V, N, c.5, 2005г.
    26. В.И.Зиненко, Ю.А.Агафонов, А.Ф.Вяткин, А.Н.Пустовит, "Получение мелко залегающих профилей распределение атомов бора в кремнии методом имплантации атомов отдачи", Вест. Нижегородского Университета, V, N, c.5, 2005г.
           © ИПТМ РАН, 1996-2012