Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН  
СТРУКТУРА   НАШИ КООРДИНАТЫ   ОБ ИНСТИТУТЕ   НАПРАВЛЕНИЯ   УЧЕНЫЙ СОВЕТ   ДИССЕРТАЦИОННЫЙ СОВЕТ   КОНКУРСЫ/ВАКАНСИИ   ОБРАЗОВАНИЕ   ШКОЛЫ И КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ДОСКА ОБЪЯВЛЕНИЙ  
 СТРУКТУРА | ДИРЕКЦИЯ | ЛАБОРАТОРИИ | АСИЦ 

ПУБЛИКАЦИИ ЛАБОРАТОРИИ ЛОКАЛЬНОЙ ДИАГНОСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ





слово,
как прописано:


лаборатория N14
Основная
Персонал
    Статьи
    1. Л.С. Коханчик, M.Н. Палатников, О.Б. Щербина, "РЕГУЛЯРНЫЕ ДОМЕННЫЕ СТРУКТУРЫ СОЗДАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ В СТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ LINBO3", Физика Твердого Тела, V54, N5, c.905, 2012г.
    2. L.S. Kokhanchik, M.V. Borodin , N.I. Burimov, S.M. Shandarov, and V.V. Shcherbina, "Planar Domain Gratings Fabricated by a Set of Local E-beam Irradiations on the Y-cuts of LiNb03 and in the Planar Waveguide Ti:LiNbO3", Ferroelectrics, V411, N, c.71, 2011г.
    3. L.S.Kokhanchik , M.N.Palatnikov , O.B.Shcherbina, "Ferroelectric domains in near-stoichiometric LiNbO3 by e-beam polarization reversal", Phase Transitions, V84, N9-10, c.797, 2011г.
    4. Shandarov, S.M.; Borodin, M.V.; Shcherbina, V.V.; Serebrennikov, L.Ya.; Burimov, N.I.; Pechenkin, A.Yu.; Anisimov, D.O.; Kokhanchik, L.S.; Kuznetsova, S.A.; Kozik, V.V., "Planar domain structures formed by electron-beam poling in Y- and X-cut LiNbO3 and waveguides Zn:LiNbO3", IEEE Int. Symp. on the Applications of Ferroelectrics (ISAF), 2010, V, N, c.5712226, 2011г.
    5. Ф.А. Лукьянов, Э.И. Рау, Р.А. Сеннов, Е.Б. Якимов, С.И. Зайцев, "Усовершенствованный метод измерения диаметра и распределения плотности тока в кроссовере электронного зонда", Заводская лаборатория. Диагностика материалов, V77, N3, c.39, 2011г.
    6. Кошев Н.А., Лукьянов Ф.А., Рау Э.И., Сеннов Р.А., Ягола А.Г., "Повышение пространственного разрешения в режиме отраженных электронов в сканирующей электронной микроскопии", Известия РАН, сер. Физическая, V75, N9, c.1248, 2011г.
    7. Орликовский Н.А., Рау Э.И., "Контраст изображений в режиме детектирования отраженных электронов в сканирующей электронной микроскопии и микротомографии", Известия РАН, сер. Физическая, V75, N9, c.1305, 2011г.
    8. O.A. Солтанович, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов, "Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами", Физика и Техника Полупроводников, V45, N2, c.226, 2011г.
    9. О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, "ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛАСТИЧЕСКИ ДЕФОРМИРОВАННОГО КРЕМНИЯ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ С ПРИМЕСЬЮ ЖЕЛЕЗА", Физика Твердого Тела, V53, N6, c.1175, 2011г.
    10. Sergey Brantov, Olga Feklisova, Eugene Yakimov, "Characterization of silicon ribbon by the SEM methods", Physica Status Solidi C, V8, N4, c.1384, 2011г.
    11. R.R. Fahrtdinov, O.V. Feklisova, M.V. Grigoriev, D.V. Irzhak, D.V. Roshchupkin, E.B. Yakimov, "XBIC Investigation of the Grain Boundaries in Multicrystalline Si on the Laboratory X-ray Source", Solid State Phenomena, V178-179, N, c.226, 2011г.
    12. С.К. Брантов, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, "Исследования электрических свойств лент кремния методами РЭМ.", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.42, 2011г.
    13. E.B.Yakimov, O.V. Feklisova, S.K.Brantov, "Recombination activity of twin boundaries in silicon ribbons", Solid State Phenomena, V, N178-179, c.106, 2011г.
    14. R. R. Fahrtdinov, O. V. Feklisova, M. V. Grigoriev, D. V. Irzhak, D. V. Roshchupkin, E. B. Yakim, "X-ray beam induced current method at the laboratory x-ray source", Rev. Scientific Instruments, V82, N9, c.93702, 2011г.
    15. Б.Я. Бер, Л.В. Богданова , А.А. Грешнов, А.Л. Закгейм, Д.Ю. Казанцев, А.П.Карташова, А.С. Павлюченко, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов, "Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN светодиодов", Физика и Техника Полупроводников, V45, N3, c.425, 2011г.
    16. N.M. Shmidt, P.S. Vergeles, E.E. Yakimov, E.B. Yakimov, "Effect of low-energy electron irradiation on the cathodoluminescence of multiple quantum well (MQW) InGaN/GaN structures", Solid State Communications, V151, N1, c.208, 2011г.
    17. P. S. Vergeles, N. M. Shmidt, E. E. Yakimov, E. B. Yakimov, "Effect of low energy electron irradiation on optical properties of InGaN/GaN light emitting structures", Physica Status Solidi C, V8, N4, c.1265, 2011г.
    18. A. N. Gruzintsev, A. N. Red’kin, E. E. Yakimov, E. B. Yakimov, "Cathodoluminescence study of individual ZnO nanorods", Physica Status Solidi C, V8, N4, c.1403, 2011г.
    19. P S Vergeles, E B Yakimov, "EBIC investigation of InGaN/GaN multiple quantum well structures irradiated with low energy electrons", J Physics: Conference Series, V281, N, c.12013, 2011г.
    20. E A Steinman, E B Yakimov, K N Filonov, A N Tereshchenko, "Luminescence of SiC films grown by a vapor phase reaction", J Physics: Conference Series, V281, N, c.12019, 2011г.
    21. In-Hwan Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, E. B. Yakimov, N. G. Kolin, V. M. Boiko, A. V. Korulin, S. J. Pearton, "Neutron doping effects in epitaxially laterally overgrown n-GaN", Applied Physics Letters, V98, N21, c.212107, 2011г.
    22. А. Н. Грузинцев, В. Т. Волков, Е. Е. Якимов, Е. Б. Якимов, "Исследование фото- и катодолюминесценции пленок ZnO", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N8, c.70, 2011г.
    23. E.B.Yakimov, O.V. Feklisova, S.K. Brantov, "Recombination Activity of Twin Boundaries in Silicon Ribbons", Solid State Phenomena, V178-179, N, c.106, 2011г.
    24. П. С. Вергелес, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов, "ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ В РЭМ НА КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ И НАВЕДЕННЫЙ ТОК В СТРУКТУРАХ С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.33, 2011г.
    25. N. Yarykin, J. Weber, "Formation of Copper-Related Deep-Level Centers in Irradiated p-Type Silicon", Solid State Phenomena, V178-179, N, c.154, 2011г.
    26. N. Yarykin, J. Weber, "Copper-related deep-level centers in irradiated p-type silicon", Physical Review B, V83, N, c.125207, 2011г.
    27. Н.А. Ярыкин, "Комментарий к статье Е.А. Татохина, А.В. Каданцева, А.Е. Бормонтова и В.Г. Задорожнего 'Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках'", Физика и Техника Полупроводников, V45, N6, c.852, 2011г.
    28. Александров А.Ф., Дицман С.А., Лукьянов Ф.А., Орликовский Н.А., Рау Э.И., Сеннов Р.А., "Электронно-зондовая неразрушающая бесконтактная диагностика приборных структур микроэлектроники", Микроэлектроника, V39, N5, c.327, 2010г.
    29. Гостев А.В., Дицман С.А., Дюков В.Г., Лукьянов Ф.А., Рау Э.И., Сеннов Р.А., "Определение средней энергии отраженных электронов в зависимости от угла их выхода", Известия РАН, сер. Физическая, V74, N7, c.1010, 2010г.
    30. Гостев А.В., Дицман С.А., Лукьянов Ф.А., Орликовский Н.А., Рау Э.И., Сеннов Р.А., "Метод и аппаратура электронной микротомографии в сканирующей электронной микроскопии", Приборы и техника эксперимента, V, N4, c.124, 2010г.
    31. Евстафьева Е.Н., Рау Э.И., Милеев В.Н., Новиков Л.С., Дицман С.А., Сеннов Р.А., "Анализ механизмов зарядки диэлектрических мишеней под воздействием электронного облучения", Перспективные материалы, V, N4, c.11, 2010г.
    32. Бузынин А.Н., Калинушкин В.П., Рау Э.И., Дицман С.А., Лукьянов Ф.А., "Исследование характеристик матриц фотоприемников на основе Si Pt:Si с помощью метода наведенного потенциала", Известия РАН, сер. Физическая, V74, N7, c.1061, 2010г.
    33. L. S. Kokhanchik; M. V. Borodin; N. I. Burimov; S. M. Shandarov; V. V. Shcherbina; V. M. Shandarov, L.Ya.Serebrennikov, T.R.Volk, "Optical Investigations of Periodical Domain Structures Created by E-Beam", Ferroelectrics, V399, N, c.135, 2010г.
    34. В.В.Щербина, С.М.Шандаров, Д.О.Анисимов, Н.И. Буримов, М.В.Бородин,Л.Я. Серебренников, А.Ю. Печенкин, С.А. Смычков, Л.С. Коханчик, В.В. Козик, С.А.Кузнецова, "Визуализация периодически поляризованных структур в кристаллах ниобата лития и в планарных волноводах на ниобате лития", Известия ВУЗов. Физика, V, N9, c.187, 2010г.
    35. L.S. Kokhanchik,S.M.Schandarov,M.V.Borodin, V.V.Shcherbina,N.I.Burimov, A.Ya.Pechenkin,S.A.Kuznetsova, V.V. Kozik,D.O. Anisimov, "Planar periodically poled structures formed by e-beam on the lithium niobate substrates for waveguide application", Pacific Science Review, V12, N1, c.109, 2010г.
    36. Коханчик Л.С., Иржак Д.В, "Формирование регулярных доменных структур и особенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах танталата лития при дискретном облучении электронами", Физика Твердого Тела, V52, N2, c.285, 2010г.
    37. Л.С. Коханчик , М.В. Бородин , С.М. Шандаров, Н.И. Буримов, В.В. Щербина, Т.Р. Волк, "Периодические доменные структуры, сформированные электронным лучом в пластинах LiNbO3 и планарных волноводах Ti:LiNbO3 Y-ориентации", Физика Твердого Тела, V52, N8, c.1602, 2010г.
    38. L.S. Kokhanchik ,M.N.Palatnikov, O.B.Shcherbina, "Investigation of Periodic Domain Structures in LiNbO3:Gd Single Crystals", Ferroelectrics, V398, N, c.98, 2010г.
    39. Л. С. Коханчик, М. Н. Палатников, О. Б. Щербина, "Периодические доменные структуры, сформированные при выращивании монокристаллов LiNbO3 легированных гадолинием", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.42, 2010г.
    40. Анисимов Д.О., Бородин М.В., Щербина В.В., Шандаров С.М., Коханчик Л.С., ""ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ПЕРИОДИЧЕСКИХ ДОМЕННЫХ СТРУКТУР, СФОРМИРОВАННЫХ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ В КРИСТАЛЛАХ X- И YCРЕЗОВ НИОБАТА ЛИТИЯ"", СБОРНИК ТРУДОВ МЕЖДУНАРОДНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ и СЕМИНАРОВ. Т.1 'Фундаментальные проблемы оптики - 2010', V1, N, c.135, 2010г.
    41. Е. Н. Евстафьева, Э. Плиес., Э.И. Рау, Р. А. Сеннов, А. А. Татаринцев, Б. Г. Фрейнкман, "Методические аспекты электронно-зондовых исследований процессов зарядки диэлектрических мишеней", Известия РАН, сер. Физическая, V74, N7, c.1020, 2010г.
    42. S.K.Brantov, A.V.Eltzov, O.V. Feklisova, E.B.Yakimov, "SEM characterization of silicon layers grown on carbon foil", Solid State Phenomena, V156-158, N, c.473, 2010г.
    43. N. Yarykin, O. Feklisova, "Comparative study of electrical and optical properties of plastically deformed silicon", Solid State Phenomena, V156-158, N, c.425, 2010г.
    44. E. B. Yakimov, "Simulation of XBIC Contrast of Precipitates in Si", Solid State Phenomena, V156-158, N, c.247, 2010г.
    45. Е.Б.Якимов, Н.А.Соболев, "Исследование безызлучательной рекомбинации в кремниевых светодиодах с краевой люминесценцией методом аведенного тока (EBIC)", Физика и Техника Полупроводников, V44, N9, c.1280, 2010г.
    46. Е.Б. Якимов, "Сравнение контраста протяженных дефектов в методах XBIC и наведенного тока", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.10, 2010г.
    47. С.С. Борисов, П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов, "Исследование индуцированной электронным пучком проводимости в тонких пленках окиси кремния", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.62, 2010г.
    48. E. B. Yakimov, "Comment on “Carrier recombination near threading dislocations in GaN epilayers by low voltage cathodoluminescence” [Appl. Phys. Lett. 89, 161905 (2006)]", Applied Physics Letters, V97, N16, c.166101, 2010г.
    49. N. Yarykin, N.V. Abrosimov, "Defect generation during plastic deformation of Si-rich Cz-grown SiGe crystals", Solid State Phenomena, V156-158, N, c.295, 2010г.
    50. Н.А. Ярыкин, J. Weber, "Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии", Физика и Техника Полупроводников, V44, N8, c.1017, 2010г.
    51. Д.В. Иржак, Л.С. Коханчик, Д.В. Рощупкин, Д.В. Пунегов, "Изучение особенностей кристаллов ниобата лития вблизи доменных границ", Физика Твердого Тела, V51, N7, c.1412, 2009г.
    52. Л.С.Коханчик, "THE USE OF SURFACE CHARGING IN THE SEM FOR LITHIUM NIOBATE DOMAIN STRUCTURE INVESTIGATION", MICRON, V40, N1, c.41, 2009г.
    53. Irzhak Dmitry, Roshchupkin Dmitry and Kokhanchik Lyudmila, "X-Ray Diffraction on a LiNbO3 Crystal with a Short Period Regular Domain Structure", Ferroelectrics, V391, N1, c.122, 2009г.
    54. Kokhanchik L. S. and Irzhak D. V., "Domain Structure Fabrication in Z and Y-cuts of LiTaO3 Crystals by Point e-beam Writing in the SEM", Ferroelectrics, V390, N1, c.87, 2009г.
    55. R.V.Gainutdiniv,T.R.Volk,O.A.Lysova,I.I.Razgonov,A.L.Tolstikhina,L.I.Ivleva., "Recording of domains and regular domain patterns in strontium- barium niobate crystals in the field of atomic forse microscope", Applied Physics B - Lasers and Optics, V95, N, c.505, 2009г.
    56. Лукьянов Ф.А., Рау Э.И., Сеннов Р.А., "Глубина пробега первичных электронов, размытие электронного пучка и пространственное разрешение в электронно-зондовых исследованиях", Известия РАН, сер. Физическая, V73, N4, c.463, 2009г.
    57. O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, J. Weber, "One more deep level related to the metastable hydrogen-related defects in n-GaAs epilayers", Physica B, V404, N23-24, c.5096, 2009г.
    58. О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, "Влияние протяженных дефектов на диффузию золота в пластически деформированном кремнии", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N8, c.45, 2009г.
    59. O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, "Effect of dislocation trails on gold diffusion in Si", Physica Status Solidi C, V6, N8, c.1823, 2009г.
    60. O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, L.V. Arapkina, V.A. Yuryev, V.P. Kalinushkin, V.A. Chapnin, K.V. Chizh, "Capacitance investigation of Ge nanoclusters on a silicon (001) surface grown by MBE at low temperature", Physica B, V404, N, c.4705, 2009г.
    61. O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, "An application of gold diffusion for defect investigation in silicon", Physica B, V404, N, c.4681, 2009г.
    62. П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов, "Исследование ширины изображения дислокаций в режиме наведенного тока в пленках GaN и структурах на их основе", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N1, c.71, 2009г.
    63. E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.V. Govorkov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, In-Hwan Lee, Cheul Ro Lee, S.J. Pearton, "EBIC and CL studies of ELOG GaN films", Superlattiсes and Microstructures, V45, N4-5, c.308, 2009г.
    64. A.E. Chernyakov, M.M. Sobolev, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov, "Nonradiative recombination dynamics in InGaN/GaN LED defect system", Superlattiсes and Microstructures, V45, N4-5, c.301, 2009г.
    65. E.I. Baranov, B.Y. Ber , A.P. Vasil'ev, A.E. Chernyakov, A.G. Kolmakov, D.Yu. Kazanthev, V.V. Mikhrin, N.A. Maleev, A.M. Nadtochy, V.N. Petrov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov, "Surface monitoring of HEMT structures", Superlattiсes and Microstructures, V45, N4-5, c.332, 2009г.
    66. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, H. Amano, T. Kawashima, "Electrical properties and deep traps spectra in undoped M-plane GaN films prepared by standard MOCVD and by selective lateral overgrowth", J Crystal Growth, V311, N10, c.2923, 2009г.
    67. E. B. Yakimov, "Profile of EBIC dislocation contrast in semiconductors with small diffusion length", Physica Status Solidi C, V6, N8, c.1983, 2009г.
    68. E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.V. Govorkov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, In-Hwan Lee, Cheul Ro Lee, S.J. Pearton, "EBIC investigations of defect distribution in ELOG GaN films", Physica B, V404, N, c.4916, 2009г.
    69. N.S. Averkiev, A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, P.V. Petrov, E.B. Yakimov, N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, "Two channels of non-radiative recombination in InGaN/GaN LEDs", Physica B, V404, N23-24, c.4896, 2009г.
    70. O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, J. Weber, "One more deep level related to the metastable hydrogen-related defects in n-GaAs epilayers", Physica B, V404, N, c.5096, 2009г.
    71. Астахов В.П., Зиновьев В.Г., Карпов В.В., Максимов А.Д., Якимов Е.Б., "ИССЛЕДОВАНИЕ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ МАЛОРАЗМЕРНЫХ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР НА КРИСТАЛЛАХ InSb МЕТОДОМ НАВЕДЁННОГО ТОКА", Вест. Нижегородского Университета, V, N6, c.56, 2009г.
    72. N. Yarykin, "Minority-carrier-enhanced dissociation of the boron-hydrogen pair in silicon", Physica B, V404, N23-24, c.5093, 2009г.
    73. N. Yarykin, J. Weber, "DLTS study of the oxygen dimer formation kinetics in silicon", Physica B, V404, N23-24, c.4576, 2009г.
    74. Гостев А.В., Дицман С.А., Забродский В.В., Забродская Н.В., Лукьянов Ф.А., Рау Э.И., Сеннов Р.А., Суханов В.Л., "Характеризация полупроводниковых детекторов монокинетических и отраженных электронов с энергией 1-30 кэВ", Известия РАН, сер. Физическая, V72, N11, c.1539, 2008г.
    75. Л.С.Коханчик, Д.В.Иржак, В.В. Антипов, "Характеризация периодических доменных структур в кристаллах ниобата лития методами растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N7, c.41, 2008г.
    76. L.S.Kokhanchik, D.V. Punegov, "The possibility of planar periodic domain structures engineering on the Y-cut surfaces of LiTaO3 crystals by e-beam point writing", Ferroelectrics, V373, N, c.69, 2008г.
    77. L.S.Kokhanchik, D.V. Punegov, "Micro-scale domain structure formation by e-beam point writing on the Y cut surfaces of LiTaO3 crystals", Proceedings of SPIE, V7025, N, c.70250, 2008г.
    78. Rau E.I., "The effect of contamination of dielectric target surfaces under electron irradiation", Applied Surface Science, V254, N7, c.2110, 2008г.
    79. Евстафьева Е.Н., Рау Э.И., Сеннов Р.А., "Некоторые аспекты кинетики зарядки диэлектрических мишеней электронными пучками с энергией 1-50 кэВ", Известия РАН, сер. Физическая, V72, N11, c.1577, 2008г.
    80. Рау Э.И., Евстафьева Е.Н., Андрианов М.В., "Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий", Физика Твердого Тела, V50, N, c.599, 2008г.
    81. Rau E.I., Fakhfakh S., Andrianov M.V., Evstafjeva E.N., Jbara O., Rondot S., "Second crossover energy of insulating materials using stationary electron beam under normal incidence", Nucl. Instrum. & Methods B, V266, N, c.719, 2008г.
    82. Fakhfakh S., Jbara O., Rau E.I., Fakhfakh Z., "An experimental approach for measuring surface potential and second crossover energy in insulator", J Physics D: Appl. Phys, V41, N, c.105402, 2008г.
    83. R. Zhang, G.A. Rozgonyi, E. Yakimov, N. Yarykin, M. Seacrist, "Impact of thermal annealing on deep-level defects in strained-Si/SiGe heterostructure", J Applied Physics, V103, N, c.103506, 2008г.
    84. E. B. Yakimov, "EBIC Investigations of Deformation Induced Defects in Si", Solid State Phenomena, V131-133, N, c.529, 2008г.
    85. E. B. Yakimov,P. S. Vergeles,,A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, In-Hwan Lee, Cheul Ro Lee, S. J. Pearton, "Donor nonuniformity in undoped and Si doped n-GaN prepared by epitaxial lateral overgrowth", Applied Physics Letters, V92, N, c.42118, 2008г.
    86. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, E. B. Yakimov, P. S. Vergeles, In-Hwan Lee and Cheul Ro Lee, S. J. Pearton, "Effects of laterally overgrown n-GaN thickness on defect and deep level concentrations", Journal of Vacuum Science & Technology B, V26, N, c.990, 2008г.
    87. В. П. Астахов, В. В. Карпов, В. В. Крапухин, А. Д. Максимов, А. Г. Падалко, О. Н. Пашкова,Е. Б. Якимов, "Исследование планарных фотодиодных структур на пленках InSb, полученных на сапфире методом продольной кристаллизации", Прикладная Физика, V, N3, c.114, 2008г.
    88. E.B. Yakimov, "EBIC characterization of light emitting structures containing InGaN/GaN MQW", Springer Proceedings in Physics, V120, N, c.481, 2008г.
    89. П.С. Вергелес, А.В. Говорков, А.Я. Поляков, Н.Б. Смирнов, Е.Б. Якимов, "Исследование пленок GaN, полученных методом латерального заращивания, методом наведенного тока", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.14, 2008г.
    90. E.B. Yakimov, V.V. Privezentsev, "SEM-EBIC investigation of silicon, compensated by zinc during high temperature diffusion annealing", Journal of Materials Science: Materials in Electronics, V19, N1s, c.277, 2008г.
    91. Nikolai Yarykin, "Oxygen dimers and related defects in plastically deformed silicon", Solid State Phenomena, V131, N, c.161, 2008г.
    92. Nikolai Yarykin, "Centers with low correlation energy in deep-level transient spectroscopy studies", Semicond Science Technol, V23, N12, c.125031, 2008г.
    93. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, E. B. Yakimov, P. S. Vergeles, In-Hwan Lee and Cheul Ro Lee, S. J. Pearton, "Effects of laterally overgrown n-GaN thickness on defect and deep level concentrations", Journal of Vacuum Science & Technology B, VV26, N, c.990, 2008г.
    94. Евстафьева Е.Н., Дицман С.А., Рау Э.И., Чукичев М.В., "Электронная эмиссия и зарядка природного алмаза при его облучении электронами средних энергий", Известия РАН, сер. Физическая, V71, N10, c.1460, 2007г.
    95. Коханчик Л.С., "Зарядовый контраст сегнетоэлектрических границ в сегнетоэластике молибдат тербия", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N7, c.1, 2007г.
    96. L.S.Kokhanchik , B.K. Ponomarev, "Influence of the Electron Irradiation on Ferroelectric Domain and Domain Boundary Potential State in Ferroelastic Crystal Tb2(MoO4)3", Ferroelectrics, V359, N, c.61, 2007г.
    97. Kokhanchik L.S., Irzhak D.V, "Investigation of Periodic Domain Structures in Lithium Niobate Crystals", Ferroelectrics, V352, N, c.134, 2007г.
    98. Dapor M., Rau E.I., Sennov R.A., "Experimantal and computational study of the mean energy of electrons backscattered from surface films", J Applied Physics, V102, N, c.63705, 2007г.
    99. Андрианов М.В., Рау Э.И., "Эффект контаминации поверхности диэлектрических мишеней при электронном облучении", Заводская лаборатория. Диагностика материалов, V73, N8, c.41, 2007г.
    100. A.A. Greshnov, A.E. Chernyakov, B.Y. Ber, D.V. Davydov, A.P. Kovarskyi, N.M.Shmidt, F.M. Snegov, O.A. Soltanovich, P.S. Vergeles, E.B. Yakimov, "Comparative Study of Quantum Efficiency of Blue LED with Different Nanostructural Arrangement", Physica Status Solidi C, V4, N8, c.2981, 2007г.
    101. O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, "Electrical properties of dislocation trails in n-Si", Physica Status Solidi C, V4, N8, c.3105, 2007г.
    102. О.В. Феклисова, А.Н. Терещенко, Э.А. Штейнман, Е.Б.Якимов, "Исследования электрических и оптических свойств кремния, содержащего кислородные преципитаты", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N7, c.38, 2007г.
    103. П.С. Вергелес, В.В.Крапухин, Е.Б. Якимов, "Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока", Физика и Техника Полупроводников, V41, N2, c.242, 2007г.
    104. E.B. Yakimov, R.H. Zhang, G.A. Rozgonyi, M. Seacrist, "EBIC characterization of strained Si/SiGe heterostructures", Физика и Техника Полупроводников, V41, N4, c.417, 2007г.
    105. V.V. Krapukhin, P.S. Vergeles, E.B. Yakimov, "Simulation and measurements of EBIC images of photoconductive elements based on HgCdTe", Физика и Техника Полупроводников, V41, N4, c.422, 2007г.
    106. Yakimov E.B., Borisov S.S., Zaitsev S.I., "EBIC measurements of small diffusion length in semiconductor structures", Физика и Техника Полупроводников, V41, N4, c.426, 2007г.
    107. Shmidt N.M., Vergeles P.S., Yakimov E.B., "EBIC characterization of light emitting structures based on GaN", Физика и Техника Полупроводников, V41, N4, c.501, 2007г.
    108. E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, In-Hwan Lee, Cheul Ro Lee, S.J. Pearton, "Spatial variations of doping and lifetime in epitaxial laterally overgrown GaN", Applied Physics Letters, V90, N15, c.152114, 2007г.
    109. В.П. Астахов, М.В. Астахов, В.В. Карпов, Е.Б. Якимов, "Исследование планарных фотодиодных структур на кристаллах InSb методом наведённого тока", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N1, c.50, 2007г.
    110. L. Ottaviani, D. Barakel, E. Yakimov, M. Pasquinelli, "Electrical Characterisation of 4H-SiC Epitaxial Samples Treated by Hydrogen or Helium", Materials Science Forum, V556-557, N, c.347, 2007г.
    111. С.А.Бельник, П.С.Вергелес, Н.М.Шмидт, Е.Б.Якимов, "Дефекты со светлым контрастом в режиме наведенного тока в светоизлучающих структурах на основе GaN", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N7, c.34, 2007г.
    112. A.Y. POLYAKOV, N.B. SMIRNOV, A.V. GOVORKOV, A.V. MARKOV, E.B. YAKIMOV, P.S. VERGELES, N.G. KOLIN, D.I. MERKURISOV, V.M. BOIKO, IN-HWAN LEE, CHEUL-RO LEE, S.J. PEARTON, "Neutron Radiation Effects in Epitaxially Laterally Overgrown GaN Films", J Electronic Mater., V36, N10, c.1320, 2007г.
    113. Е.Д. Васильева, А.Л. Закгейм, Ф.М. Снегов, А.Е. Черняков, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов, "НЕКОТОРЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ДЕГРАДАЦИИ СИНИХ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ InGaN/GaN", Светотехника, V, N5, c.30, 2007г.
    114. N.M. Shmidt, A.N. Titkov, E.B. Yakimov, "Diffusion length and effective carrier lifetime in III-nitrides", Int.J Nanoscience, V6, N5, c.323, 2007г.
    115. Eremenko V, Yakimov E, Abrosimov N,, "Structure and Recombination Properties of the Extended Defects in the Dislocation Slip Planes in Silicon", Physica Status Solidi C, V4, N8, c.3100, 2007г.
    116. Е.Б. Якимов, В.В. Привезенцев, "Исследования кремния с примесью цинка методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе", Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, V, N4, c.71, 2007г.
    117. N. Yarykin, E. Hieckmann, V. I. Vdovin, "Oxygen gettering at defects introduced by plastic deformation in silicon", Physica Status Solidi C, V43, N8, c.3070, 2007г.
    118. N. Yarykin, J. Weber, "Properties and identification of an oxygen-related radiation defect in silicon", Physica B, V401-402, N, c.483, 2007г.
    119. Л. С. Коханчик , Б. К. Пономарев, "НЕМОНОТОННАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ПОТЕНЦИАЛА, НАВЕДЕННОГО ЭЛЕКТРОННЫМ ЗОНДОМ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДОМЕНАХ МОЛИБДАТА ТЕРБИЯ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N12, c.1, 2006г.
    120. О.В. Феклисова, Е.Б.Якимов, "Измерения диффузионной длины в пластически деформированном кремнии с высокой плотностью дислокаций", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.66, 2006г.
    121. Jinggang Lu, Renhua Zhang, George Rozgonyi, Eugene Yakimov, Nikolai Yarykin, Mike Seacrist, "Threading vs Misfit Dislocations in Strained Si/SiGe Heterostructures: Preferential Etching and Minority Carrier Transient Spectroscopy", ECS Transactions, V2, N2, c.569, 2006г.
    122. Н.М.Шмидт, Е.Б.Якимов, "Диффузионная длина неравновесных носителей заряда и ее связь со структурной организацией нитридов III группы", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.61, 2006г.
    123. N. Yarykin, R. Zhang, G. Rozgonyi, "Characterization of strained-Si/SiGe/Si heterostructures with capacitance methods", Proceedings of SPIE, V6260, N, c.626017, 2006г.
    124. Коханчик Л.С., Пономарев Б.К, "Количественное определение выхода вторичных электронов с поверхности сегнетоэлектрических доменов", Заводская лаборатория. Диагностика материалов, V71, N6, c.24, 2005г.
    125. Л. С. Коханчик, Б. К. Пономарёв, "Изменение состояния поверхности сегнетоэлектрических доменов при облучении электронами в РЭМ", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.454, 2005г.
    126. Бельский М.Д., Рау Э.И., Суворинов Т.С., Филипчук Т.С., "Влияние входной фокусировки на характеристики тороидального энергоанализатора для РЭМ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N12, c.47, 2005г.
    127. N. M. Shmidt, V. V. Sirotkin, A. A. Sitnikova, O. A. Soltanovich, R. V. Zolotareva, E. B. Yakimov, "SEM/EBIC investigations of extended defect system in GaN epilayers", Physica Status Solidi C, V2, N6, c.1797, 2005г.
    128. О. В. Феклисова, Е.Б.Якимов, "Исследования дислокаций и следов за дислокациями в Si методом наведенного тока", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.459, 2005г.
    129. Н.А.Соболев , А.М.Емельянов, Е.И.Шек, О.В.Феклисова, Е.Б.Якимов, "Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, подвергнутых деформации", Физика и Техника Полупроводников, V39, N10, c.1271, 2005г.
    130. O.V. Feklisova, B. Pichaud, E.B. Yakimov, "Annealing effect on the electrical activity of extended defects in plastically deformed p-Si with low dislocation density", Physica Status Solidi A, V202, N5, c.896, 2005г.
    131. N.A. Sobolev, A.M. Emel`yanov, E.I. Shek, O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, T.V. Kotereva, "Influence of the deformation on the luminescence properties of Si light-emitting diodes", Physica Status Solidi C, V2, N6, c.1842, 2005г.
    132. O. V. Feklisova, E. B. Yakimov, "EBIC and DLTS study of deformation induced defect thermal stability in n-Si", Solid State Phenomena, V108-109, N, c.567, 2005г.
    133. E.B. Yakimov, "EBIC and DLTS characterization of pure Si crystals", Bull Materials Science, V28, N4, c.367, 2005г.
    134. В. В. Сироткин, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов, "Исследование характеристик объектов с нанометровыми размерами в пленках GaN методом наведенного тока", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.463, 2005г.
    135. О.В. Смолин, Е.В. Сусов, Е,Б. Якимов, "Исследование фоточувствительных резистивных элементов в РЭМ в режиме наведенного тока", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.466, 2005г.
    136. Н.Н. Негуляев, Е.Б. Якимов, С.И. Зайцев, "КРИТЕРИИ ПРИМЕНИМОСТИ ПРИБЛИЖЕНИЯ СЛАБОЙ ГЕНЕРАЦИИ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ДИФФУЗИОННЫМИ ДЛИНАМИ СВЫШЕ 10 МКМ В ОДНОЭЛЕКТРОДНОЙ СХЕМЕ ФОРМИРОВАНИЯ СИГНАЛА В МЕТОДЕ НАВЕДЕННОГО ТОКА", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.470, 2005г.
    137. Nikolay N. Negulyaev, Eugene B. Yakimov, Sergey I. Zaitsev, "Simulation of uncharged dislocation EBIC contrast at high excitation level", Physica Status Solidi C, V2, N6, c.1822, 2005г.
    138. E. B. Yakimov, "Study of Au diffusion in nitrogen-doped FZ Si", Solid State Phenomena, V108 – 109, N, c.241, 2005г.
    139. N. Yarykin, V. I. Vdovin, "Decay of oxygen solid solution in plastically deformed silicon", Physica Status Solidi A, V202, N, c.921, 2005г.
           © ИПТМ РАН, 1996-2012