Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН  
СТРУКТУРА   НАШИ КООРДИНАТЫ   ОБ ИНСТИТУТЕ   НАПРАВЛЕНИЯ   УЧЕНЫЙ СОВЕТ   ДИССЕРТАЦИОННЫЙ СОВЕТ   КОНКУРСЫ/ВАКАНСИИ   ОБРАЗОВАНИЕ   ШКОЛЫ И КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ДОСКА ОБЪЯВЛЕНИЙ  
 СТРУКТУРА | ДИРЕКЦИЯ | ЛАБОРАТОРИИ | АСИЦ 

ПУБЛИКАЦИИ ЛАБОРАТОРИИ ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ





слово,
как прописано:


лаборатория N1
Основная
Персонал
    Статьи
    1. Despotuli, Andreeva, "'Advanced Carbon Nanostructures' for ''Advanced Supercapacitors:'' What Does it Mean?", Nanoscience and Nanotechnology Letters, V3, N1, c.119, 2011г.
    2. Despotuli A, Andreeva A., "Electrode Nanostructures for Advanced Supercapacitors", Acta Physica Polonica A, V120, N2, c.260, 2011г.
    3. A.L.Despotuli, A.V.Andreeva, "Nanoionic supercapacitors for energy accumulation in deep-sub-voltage regime", Перспективные материалы, V13, N1, c.277, 2011г.
    4. Ф.А. Лукьянов, Э.И. Рау, Р.А. Сеннов, Е.Б. Якимов, С.И. Зайцев, "Усовершенствованный метод измерения диаметра и распределения плотности тока в кроссовере электронного зонда", Заводская лаборатория. Диагностика материалов, V77, N3, c.39, 2011г.
    5. А.Л.Деспотули, А.В.Андреева, "Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы", Российские нанотехнологии, V5, N7-8, c.89, 2010г.
    6. Knyazev M.A., Svintsov A.A., Zaitsev S.I., "Influence of the dose distribution on resist development properties", Microelectronic Engineering, V87, N5-8, c.880, 2010г.
    7. Ivan A. Larkin, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, Sebastian Ujevic, M. Henini, "Fermi-edge singularity at tunneling and anisotropic magneto-tunneling in low-dimensional semiconductor structures", Physica Scripta, V82, N, c.38106, 2010г.
    8. Плющева С.В., Андреева А.В., Михайлов Г.М., Шабельников Л.Г., "Получение наноструктур вольфрама на кремнии методом CVD для металлизации в микроэлектронике", Сб. тр. 7-ой межд. научно-практ. конф. "'Исследование , разработка и применение высоких технологий в промышленности", V, N, c.234, 2009г.
    9. Plyushcheva S.V., Mikhailov G.M., Andreeva A.V., "The investigation of chemical and interface interactions at the growth of tungsten thin films on silicon substrate", Proceedings of 18 th International Conference on Metallurgy and Materials, V, NSymposium D, c.87, 2009г.
    10. Andreeva A.V., "Crystal interface engineering and high functional metal nanosystems", Proceedings of 18 th International Conference on Metallurgy and Materials, V, NSymposium D, c.31, 2009г.
    11. Плющева С.В., Андреева АВ., "Получение высокофункциональных тонкопленочных структур W на Si методом СVD с образованием нанометрового подслоя адгезионного промотера", Сб. Мат. межд. научно-техн. конф. "'Исследование , разработка и применение высоких технологий в промышленности", V, N, c.467, 2009г.
    12. Деспотули А.Л., Андреева А.В., "Наноионные суперконденсаторы и перспективы их применения в наноэлектронике и других критических и прорывных технологиях", Сб. Мат. межд. научно-техн. конф. "'Исследование , разработка и применение высоких технологий в промышленности", V, N, c.475, 2009г.
    13. Despotuli A.L., Andreeva A.V., ""A SHORT REVIEW ON DEEP-SUB-VOLTAGE NANOELECTRONICS AND RELATED TECHNOLOGIES"", Int.J Nanoscience, V8, N4, c.389, 2009г.
    14. Деспотули А.Л., Андреева А.В.,, "Наноионика: новые материалы и суперконденсаторы", Юбилейный сб. ИПТМ РАН: 1984-2009, V, N, c.372, 2009г.
    15. Svintsov A., S. Zaitsev, G. Lalev, S. Dimov, V. Velkova, H. Hirshy, "FIB sputtering optimization using Ion Reverse Software", Microelectronic Engineering, VV86, N, c.544, 2009г.
    16. 2. Zaitsev, S.; Svintsov, A.; Ebm, C.; Eder-Kapl, S.; Loeschner, H.; Platzgummer, E.; Lalev, G.; Dimov, S.; Velkova, V.; Basnar, B, "3D ion multibeam processing with the CHARPAN PMLP tool and with the single ion-beam FIB tool optimized with the IonRevSim software", Proceedings of SPIE, VV 7271, N, c.72712, 2009г.
    17. V. Sirotkin, A. Svintsov, S. Zaitsev, "Optimization of droplets for UV-NIL using coarse-grain simulation of resist flow", Proceedings of SPIE, VV7271, N, c.727121, 2009г.
    18. I. A. Larkin, S. Ujevic, E.A. Avrutin, "Tunneling escape time from semiconductor quantum well in an electric field.", J Applied Physics, V106, N, c.113701, 2009г.
    19. I. A. Larkin, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, and M. Henini, "Magnetic field dependence of many-body enhanced electron tunnelling through a quantum dot", Int J Modern Physics B, V23, N11-12, c.2947, 2009г.
    20. V. Sirotkin, A. Svintsov, S. Zaitsev, "Optimization of droplets for UV-NIL using coarse-grain simulation of resist flow", Proceedings of SPIE, V7271, N, c.727121, 2009г.
    21. Деспотули А.Л., Андреева А.В., "Перспективы развития в России глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий", Интеграл, V39, N1, c.6, 2008г.
    22. Деспотули А.Л., Андреева А.В., "Перспективы развития в России глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий", Нано- и Микросистемная техника, V, N10, c.2, 2008г.
    23. Деспотули А.Л., Андреева А.В, "Перспективы развития в России глубоко субвольтовой наноэлектроники и связанных с ней технологий. Наноионные суперконденсаторы", Интеграл, V, N2, c.16, 2008г.
    24. Деспотули А.Л., Андреева А.В., "Наноионные приборы в глубоко субвольтовой наноэлектронике", Наноиндустрия, V, N5, c.12, 2008г.
    25. Плющева С.В. , Андреева А.В., "Образование подслоя W5Si3 на межфазной границеW\Si при газофазном осаждении ,как процесс самоорганизации системы.", Сб.трудов ФиПС-08.Прикладная синергетика в нанотехнологихПятый Международный междисциплинарный симпозиум. Ноябрь 2008г.Москва, V, N, c.370, 2008г.
    26. Плющева С.В., Андреева А.В., Михайлов Г. М., Шабельников Л. Г., Шаповал С. Ю., "'Исследование химических и межфазных взаимодействий при росте наноструктур вольфрама на кремнии'", Перспективные материалы, V, N6, c.164, 2008г.
    27. Андреева А.В., Плющева С.В., "'Условия формирования граничного функционального нанослоя W5Si3 при газофазном осаждении пленок W на подложку Si(001)'", Перспективные материалы, V, N6, c.168, 2008г.
    28. Андреева А.В., ".'Управление синергетичностью реакционной зоны межфазной границы для получения высокофункциональных тонкопленочных структур W/Si'", Сб.трудов ФиПС-08.Прикладная синергетика в нанотехнологихПятый Международный междисциплинарный симпозиум. Ноябрь 2008г.Москва, V, N, c.108, 2008г.
    29. Андреева А.В., Плющева С.В., "'Условия формирования граничного функционального нанослоя W5Si3 при газофазном осаждении пленок W на подложку Si (001)'.", Перспективные материалы, V6, N1, c.301, 2008г.
    30. Андреева А.В., Плющева С.В., "Условия формирования граничного функционального нанослоя W5Si3 при газофазном осаждении пленок W на подложку Si (001)", Перспективные материалы, V, N6 (1), c.301, 2008г.
    31. Деспотули А.Л., Андреева А.В., "Гетероструктуры на основе передовых суперионных проводников - новые функциональные материалы для пленочных суперконденсаторов", Перспективные материалы, V, N6 (2), c.41, 2008г.
    32. S. Merino, A. Retolaza, A. Juarros, H. Schift, V. Sirotkin, A. Svintsov, S. Zaitsev, "Refined coarse-grain modeling of stamp deformation in nanoimprint lithography", Nanotechnology: Microsystems, Photonics, Sensors, Fluidics, Modeling, and Simulation - Technical Proceedings of the NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show, V1, N, c.368, 2008г.
    33. V. Sirotkin, A. Svintsov, S. Zaitsev, "UV-NIL with optimal droplets", Nanotechnology: Microsystems, Photonics, Sensors, Fluidics, Modeling, and Simulation - Technical Proceedings of the NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show, V1, N, c.559, 2008г.
    34. N. Kehagias, V. Reboud, C.M. Sotomayor Torres, V. Sirotkin, A. Svintsov, S. Zaitsev, "The IMPRINT software: quantitative prediction of process parameters for successful nanoimprint lithography", Nanotechnology: Microsystems, Photonics, Sensors, Fluidics, Modeling, and Simulation - Technical Proceedings of the NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show, V3, N, c.553, 2008г.
    35. Svintsov A.A., O.V. Trofimov , S.I. Zaitsev, "Thin NIL films characterization (viscosity, adhesion) with rheological nano–probe", Nanotechnology: Microsystems, Photonics, Sensors, Fluidics, Modeling, and Simulation - Technical Proceedings of the NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show, V3, N, c.928, 2008г.
    36. Nikolaos Kehagias, Vincent Reboud, Clivia M. Sotomayor Torres, Vadim Sirotkin, Alexander Svintsov, Sergey Zaitsev,, "Residual layer thickness in nanoimprint: Experiments and coarse-grain simulation", Microelectronic Engineering, VV85, NN, c.846, 2008г.
    37. 4. Зайцев С.И., Евсеев А., Чукалина М.В.,, "Коллиматоры для гамма-камер", Техника машиностроения, V7, N, c.5, 2008г.
    38. M. Medvedeva, I. Larkin, S. Ujevic, L. Shchur, B. Ivlev, "Cyclotron enhancement of tunneling", Physical Review B, V78, N, c.165325, 2008г.
    39. Nikolaos Kehagias, Vincent Reboud, Clivia M. Sotomayor Torres, Vadim Sirotkin, Alexander Svintsov, Sergey Zaitsev, "Residual layer thickness in nanoimprint: Experiments and coarse-grain simulation", Microelectronic Engineering, V85, N, c.846, 2008г.
    40. V. Golovach, A. Khaetskii, D. Loss, "Spin relaxation at the singlet-triplet crossing in a quantum dot", Physical Review B, V77, N04, c.45320, 2008г.
    41. Деспотули А.Л., Андреева А.В. Аристов В.В., "Высокоемкие конденсаторы для наноэлектроники", Нано- и Микросистемная техника, V, N11 (88), c.38, 2007г.
    42. Деспотули А.Л. , Андреева А.В., "Высокоемкие конденсаторы для 0,5-вольтовой наноэлектроники будущего", Современная электроника, V, N7, c.24, 2007г.
    43. Князев М.А., Свинцов А.А., Зайцев С.И., Дубонос С.В., "Fast electron resist contrast determination by "fitting before measurement" approach.", Microelectronic Engineering, V84, N5, c.1080, 2007г.
    44. V. Sirotkin, A. Svintsov, H. Schift, S. Zaitsev, "Coarse-grain method for modeling of stamp and substrate deformation in nanoimprint", Microelectronic Engineering, V84, N, c.868, 2007г.
    45. Borisov S.S., Zaitsev S.I., Grachev E.A, "Simulation of the fluctuations of energy and charge deposited during e-beam exposure", Физика и Техника Полупроводников, V41, N8, c.899, 2007г.
    46. Borisov S.S., Zaitsev S.I., "Simulation of e-beam penetration through multilayer structures", Физика и Техника Полупроводников, V41, N5, c.534, 2007г.
    47. Yakimov E.B., Borisov S.S., Zaitsev S.I, "EBIC measurements of small diffusion length in semiconductor structures", Физика и Техника Полупроводников, V41, N4, c.426, 2007г.
    48. V. Sirotkin, A. Svintsov, S. Zaitsev, H. Schift, "Coarse-grain simulation of viscous flow and stamp deformation in nanoimprint", Journal of Vacuum Science & Technology B, V25, N6, c.2379, 2007г.
    49. A. A. Svintsov, O. V. Trofimov, S. I. Zaitsev,, "Viscosity measurement of nanoimprint lithography resists with a rheological nanoindenter,", Journal of Vacuum Science & Technology B, V25, N, c.2435, 2007г.
    50. Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, Л. Ивс, И.А. Ларкин, А. Патанэ, О.Н. Макаровский, М. Хенини, "Индуцированная магнитным полем Ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную InAs квантовую точку", ЖЭТФ, V132, N1, c.175, 2007г.
    51. Деспотули А.Л., Андреева А.В., Веденеев В.В., Аристов В.В., Мальцев П.П, "Высокоемкие конденсаторы для ультраплотного поверхностного монтажа", Нано- и Микросистемная техника, V, N3, c.30, 2006г.
    52. Деспотули А.Л., Андреева А.В, "Суперконденсаторы для электроники (Часть1)", Современная электроника, V, N5, c.10, 2006г.
    53. Деспотули А.Л., Андреева А.В., "Суперконденсаторы для электроники (Часть2", Современная электроника, V, N6, c.46, 2006г.
    54. V. Sirotkin, A. Svintsov, S. Zaitsev, H. Schift, "Viscous flow simulation in nanoimprint using coarse-grain method", Microelectronic Engineering, V83, N, c.880, 2006г.
    55. S.V.Dubonos, M.A.Knyazev, A.A.Svintsov , S.I.Zaitsev., "Current density and exposure sequence effect in electron lithography", Proceedings of SPIE, V6260, N, c.2, 2006г.
    56. S.S. Borisov, S.I. Zaitsev, A. Bloshenko, T. Misutina, "Determination of subsurface structure parameters of a sample using secondary electrons energy spectrums", Proceedings of SPIE, V6278, N, c.130, 2006г.
    57. S.S. Borisov, S.I. Zaitsev, E.A. Grachev, "Computation of charge and energy deposited during electron beam irradiation depth distributions in discrete looses approximation", Proceedings of SPIE, V6278, N, c.126, 2006г.
    58. S.S. Borisov, S.I. Zaitsev, "One particularity of energy-angular secondary electrons spectrum", Proceedings of SPIE, V6278, N, c.123, 2006г.
    59. S.S. Borisov, S.I. Zaitsev, E.A. Grachev, N. Ivanov, "Simulation of electron scattering in thin films using Monte-Carlo method in discrete looses approximation", Proceedings of SPIE, V6278, N, c.119, 2006г.
    60. C.C. Борисов, С.И. Зайцев, Н.Ю. Иванов, E A. Грачёв, "Моделирование рассеяния электронов в тонких плёнках методом Монте-Карло в приближении дискретных потерь", Прикладная Физика, V000, N5, c.0, 2006г.
    61. С. С. Борисов, С. И. Зайцев, "Об одной особенности энергоуглового", Прикладная Физика, V, N6, c.8, 2006г.
    62. Alexander Khaetskii, "Nonexistence of intrinsic spin currents", Physical Review Letters, V96, N, c.56602, 2006г.
    63. Alexander Khaetskii, "Intrinsic spin current for an arbitrary Hamiltonian and scattering potential", Physical Review B, V73, N, c.115323, 2006г.
    64. A. Khaetskii, "Intrinsic vs Extrinsic Spin Currents. Old Ideas in a New Light", AIP Conference Proceedings, V850, N, c.1512, 2006г.
    65. Деспотули А.Л., Андреева А.В. , Рамбабу В., "Наноионика - основа создания новых приборов для МСТ", Нано- и Микросистемная техника, V, N2, c.5, 2005г.
    66. Деспотули А.Л., Андреева А.В. , Мальцев П.П, "Наноионные суперконденсаторы с гигантской емкостью для НМСТ", Нано- и Микросистемная техника, V, N11, c.2, 2005г.
    67. Andreeva A.V., Despotuli A.L., "Interface design in nanosystems of advanced superionic conductor", Ionics, V11, N, c.152, 2005г.
    68. Despotuli A.L., Andreeva A.V., Rambabu B., "Nanoionics of advanced superionic conductors", Ionics, V11, N, c.306, 2005г.
    69. Andreeva A.V, "Interface design and processes of self-organization in nanosystems", Journal of Guangdong Non-Ferrous Metals, V2-3, N, c.244, 2005г.
    70. Деспотули А.Л., Андреева А.В. , Рамбабу В., "Наноионика - основа создания новых приборов для МСТ", Мир электроники. Сборник статей под редакцией Мальцева П.П., V, N, c.72, 2005г.
    71. Н.Н. Негуляев, Е.Б. Якимов, С.И. Зайцев, "КРИТЕРИИ ПРИМЕНИМОСТИ ПРИБЛИЖЕНИЯ СЛАБОЙ ГЕНЕРАЦИИ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ДИФФУЗИОННЫМИ ДЛИНАМИ СВЫШЕ 10 МКМ В ОДНОЭЛЕКТРОДНОЙ СХЕМЕ ФОРМИРОВАНИЯ СИГНАЛА В МЕТОДЕ НАВЕДЕННОГО ТОКА", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.470, 2005г.
    72. Nikolay N. Negulyaev, Eugene B. Yakimov, Sergey I. Zaitsev, "Simulation of uncharged dislocation EBIC contrast at high excitation level", Physica Status Solidi C, V2, N6, c.1822, 2005г.
    73. A.G. Michette, S.J. Pfauntsch, A. Erko, A. Firsov, A. Svintsov, "1. Nanometer focusing of x-rays with modified reflection zone plates", Optics Communications, V245, N, c.249, 2005г.
    74. A. Khaetskii, C. Egues, D. Loss, C. Gould, G. Schmidt and L.W. Molenkamp, "Spin injection across magnetic/non-magnetic interfaces with finite", Physical Review B, V71, N, c.235327, 2005г.
    Монографии
    1. M.I. Dyakonov, A.V. Khaetskii, ""Spin Hall Effect", Chapter in: "Spin Physics in Semiconductors" (Springer series in Solid State Sciences, v.157)", Springer Berlin Heidelberg, 2008г., печ.л.:2.000
    Патенты
    1. Плющева С.В., Шаповал С.Ю., Михайлов Г.М., Андреева А.В., "Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии", 2009г.
    2. В.В.Аристов, А.В.Андреева, А.Л.Деспотули, В.И.Левашов, П.П.Мальцев, В.В.Старков, Л.Г.Шабельников, "Суперконденсатор", 2007г.
           © ИПТМ РАН, 1996-2012