10-лет ИПТМ РАН*

Директор ИПТМ РАН д.ф.-м.н, профессор В.В.Аристов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии наук формировался в 1982 - 1983 г.г. в составе Института физики твердого тела АН СССР и получил самостоятельность 1 января 1984 года. Основатель новой академической организации и ее директор в первые годы существования член-корр. АН СССР профессор Ч.В.Копецкий заложил в жизнь молодого научного учреждения основы таких традиций, как динамизм в проведении исследований, поиск их приложений в самых неожиданных областях, направленность исследований на получение конечного результата, что чрезвычайно помогает выживанию института в наше сложное время.

Перед новым институтом ставилась задача проведения фундаментальных исследований в области физических основ микроэлектроники и свойств микро- и нанообъектов, создание методов контроля и диагностики микроструктур, разработка новых технологических процессов микроструктурирования, поиск и получение новых материалов для микроэлектроники. Предусматривалась и организация производства опытных партий особо-чистых материалов и технологического оборудования. Предполагалось строительство производственных помещений, административного корпуса, совместное с ЭЗНП АН СССР строительство и освоение корпуса для производства заказных интегральных схем.

В связан с поставленными задачами формировалась и структура научных и производственных подразделений. Кроме того, было создано несколько отраслевых лабораторий совместно с заводом имени 50-летия СССР Министерства электронной промышленности, институтами Министерства промышленности средств связи, с ГИРЕДМЕТом (Министерство цветной металлургии).

ИПТМ стал быстро расти, и к 1990 г. его численность увеличилась с трехсот двадцати (на 1 января 1984 г.) до 800 человек; установились производственные связи со многими институтами Академии наук СССР, МГУ им. М.В.Ломоносова, предприятиями и отраслевыми научно-исследовательскими институтами Москвы, Ленинграда (С.-Петербурга), Минска, Новосибирска, Еревана, Киева, Горького (Н.Новгорода), Кишинева, Томска, Выборга, Зеленограда, Фрязино и других городов. Были подписаны соглашения о научно-техническом сотрудничестве с рядом научных организаций Франции, Швеции, Великобритании, Болгарии, ГДР, ВНР.

Наши сотрудники принимали активное участие в международных и всесоюзных конференциях и семинарах. За прошедшие годы институт был организатором четырех всесоюзных семинаром по микролитографии, двух всесоюзных конференций по сканирующей электронной микроскопии, участвовал в организации русско-германского и русско-украинского симпозиумов по аналитической химии, IV Международной конференции по рентгеновской микроскопии, советско-японского семинара по границам зерен, советско-французского семинара по рентгеновской микроскопии и многих других.

Учеными института, а их на 1 января 1994 г. было 145 человек, в том числе 21 доктор и 102 кандидата наук, опубликовано свыше 900 работ, сделано свыше 1000 докладов на различных конференциях, получено 100 авторских свидетельств на изобретения. Первая статья по работе, выполненной в ИПТМ, появилась в печати в январе 1984 г. (Kratschmer E., Erko A. end Petrashov V.T., Beneking H. Device Fabrication by Nanolithography and electroplating for Magnetic Flux Quantisation Measurements.-AppI. Phys.Lett., v.44(10), 15 May, 1984, p.1011-1013), когда еще многие, в том числе и ее авторы, не могли точно воспроизвести даже название института.

За прошедшее с тех пор десятилетие его сотрудниками защищено 16 докторских и 47 кандидатских диссертаций, у нас регулярно проходят практику и выполняют дипломные работы студенты Московского института стали и сплавов (МИСиС) (в ИПТМ функционирует филиал кафедры металлографии этого вуза). Московского физико-технического института (кафедра наноэлектроники). Московского Государственного университета (кафедра электроники), действует также научно-учебный центр ИПТМ-ФТИАН-МГУ.

Результаты десятилетней научной деятельности ИПТМ достаточно полно отражают материалы сборника, хотя в нем, естественно, не представлен весь спектр научных исследований, проводимых институтом.

Следует также отметить, что наши исследования велись на основе широкой кооперации с учеными институтов как нашей, так и других стран. Их имена вы найдете в ссылках на журнальные статьи. Во введении мне хочется только отметить, что ученые ИПТМ РАН явились инициаторами развития двух оригинальных научных направлений, нашедших мировое признание: металлической наноэлектроники и брегг-френелевской рентгеновской оптики. Ими выполнены также оригинальные разработки в области электронно-лучевой и ионной литографии, плазменно-химического травления, осаждения пленок методами CVD, ЭЦР, электронно-лучевого, магнетронного и лазерного напыления. Эти разработки сегодня лежат в основе создаваемых институтом приборов, установок и новых технологий. Успешно развивалась и традиционная для ИПТМ, возникшая еще в ИФТТ АН СССР, тематика получения и анализа чистых веществ. Несмотря на трудности нашего сложного переломного времени, с поставленными задачами мы успешно справляемся.

Структура научных подразделений института регулярно изменялась и совершенствовалась: расформировывались одни и возникали новые группы и лаборатории. В настоящее время она полностью соответствует основным направлениям научной деятельности ИПТМ, которыми стали электронная физика и технология гетеросистем, физика и технология элементов функциональной электроники, специальных материалов микроэлектроники и чистых веществ, рентгеновская оптика и субмикронная диагностика.

Большой вклад в формирование научных направлений внес безвременно умерший кандидат физико-математических наук Г.И.Коханчик. Интересен опыт руководителя группы лазерных процессов к.х.н. Ю.И. Дерновского, который выделился из состава ИПТМ и организовал работу на основе полной финансово-хозяйственной самостоятельности за счет реализации своих научных разработок.

Наш институт формировался в трудные годы перестройки - годы спада интереса государства к постановке новых научных исследований. В это время развитие науки шло, по-существу, только по инерции, а с 1990 г., к сожалению, началось даже уменьшение финансирования научной деятельности, достигшее к 1 января 1994 г. катастрофически низкого уровня, составляющего лишь пять процентов от уровня 1990 г. в сопоставимых ценах. В этих условиях огромная роль в становлении института, его развитии или, скорее, выживании принадлежала аппарату управления и прежде всего бывшему заместителю директора по общим вопросам Ю.К.Суворову, главному инженеру, заместителю директора по строительству М.И. Вербуку, главному бухгалтеру Г.М.Коротковой, начальнику планово-экономического отдела Р.П.Райх. Большой вклад в это общее дело внесли также руководители вспомогательных служб и главные специалисты: Н.Б.Серов (главный механик), А.П.Пыхтин (бывший главный энергетик), заведующий ОК Г.А. Серебряков, заведующий первым отделом Г.Ф.Шведенков, зав. библиотекой Л.П.Аристова, нач. патентного отдела Л.И.Коршунова, зав. канцелярией Т.Г.Петрашова, бывший заведующий хозяйственным отделом А.К.Замараев, начальник производственно-технологического отдела Г.И.Сальников, бывший начальник автотранспортной группы Ю.В.Бодрягин и многие другие сотрудники.

Мы никогда не забудем и тех, кто вместе с нами начинал новое дело, участвуя в строительстве, организации и становлении института, кто отдал ему свои силы, энергию, талант, а потом покинул нас, безвременно ушел из жизни. Их имена навечно вошли в историю ИПТМ. Это Е.Т.Бабичев, К.П.Борзов, В.И, Жила, Н.П.Заровнядный, Ч.В.Копецкий, Г.И.Коханчик, Б.Н.Лесовиков, Д.А.Лютова, В.В.Махров, И.М.Пронман, В.С.Пугачев, Ф.Д.Сенчуков, Е.М.Цейтлин, С.А.Шуйсков.

Становление Института проблем технологии микроэлектроники как научной организации академического уровня было бы невозможно без помощи со стороны вице-президента АН СССР академика Е.П.Велихова, Отделения информатики и вычислительной техники Академии наук СССР, без внимания и поддержки со стороны академика К.А.Валиева, планово-финансового и научно-организационного управлений, а также управления внешних связей Президиума АН СССР.

Развиваясь в трудных условиях. Институт и его сотрудники выступали на протяжении всего периода своего существования с различными социально-экономическими и социальными инициативами. Так, например, одними из первых в Академии наук мы начали сокращение численности работающих путем создания различного рода малых предприятий и мелкосерийных производств и перевода в них освобождающихся сотрудников. Еще в 1990 году мы начали реконструкцию института, направленную на экономию тепла, электроэнергии, воды. Институтом создавались классы информатики для обучения детей в школах нашего научного центра, была организована лаборатория мониторинга окружающей среды для обслуживания интересов поселка.

Несмотря на финансовые и экономические трудности, мы находим в себе силы заниматься не только научными изысканиями и разработками - на протяжении последних лет наш институт шефствует над детской скаутской организацией в Ногинском районе.

Думаю, что и в будущем мы не изменим своим принципам и сложившимся традициям и, продолжая достойно поддерживать честь российской науки, будем принимать участие в самых разных сферах жизни нашего общества.


* Статья "Введение" из юбилейного сборника к 10-летию ИПТМ РАН