Повестка заседаний Ученого Совета ИПТМ РАН за 1996-1997 академический год.

Меню:

English

Домашняя страница

Об институте

Наши координаты

Структура

Доска объявлений

Семинары

Ученый Совет ИПТМ РАН

Председатель Ученого Совета - проф. Аристов В.В.
Ученый Секретарь - к.г.-м.н. Владимир Терентьевич Ушаковский

Члены Ученого Совета: Тулин В.А., Вяткин А.Ф., Андреева А.В., Гражулене С.С., Грузинцев А.Н., Дубровский Ю.В., Еременко В.Г., Жиляев И.Н., Зайцев С.И., Личкова Н.В., Лысенко В.Г., Марченко В.А. , Матвеев В.Н., Михайлов Г.М., Мордкович В.Н., Рау Э.И., Сихарулидзе Г.Г., Смирнов В.А., Шаповал С.Ю., Ушаков Н.Г., Ходос И.И., Якимов Е.Б.

Письмо, отправленное по адресу uchsov@ipmt-hpm.ac.ru будет получено всеми членами Ученого Совета, кроме тех, чьи фамилии выделены красным.

Заседания Ученого Совета проходят по пятницам в 14:30 в Конференц-зале.


4 июля 1997 г.

1. Научный доклад по кандидатской диссертации В.А.Киреева
"Формирование сигнала модуляционной катодолюминесценции в пространственно неоднородных полупроводниках".

2. Статьи в печать:

1) Коханчик Л.С., Якимов Е.Б.
"Влияние температуры на сигнал вторичной электронной эмиссии в пироэлектронике LiNbO3".


20 июня 1997 г.

1. Научный доклад по кандидатской диссертации К.Литвиненко
"Динамика экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах и сверхрешетках ".

2. Статьи в печать:

1) Кудряшов В.А., Краснов В.В., Преветт П.Д., Халл Т.Д.
"Низковольтная электронно-лучевая литография: искажение топологии рисунка зарядом, накопленным в резисте".

2) Кудряшов В.А., Краснов В.В., Преветт П.Д., Халл Т.Д.
"Расширение технологических допусков при формировании трехмерных структур в электронно-лучевой литографии".

3) Вавра И., Валленверг Л.Р., Кудряшов В.А.
"Электронно-лучевое перемешивание сверхрешеток W1-xSix/Si".

4) Березин В.А., Тулин В.А.
"Захват магнитного потока в слоистых сверхпроводниках (Bi2Sr2CeCu2O8)".

3. Сообщение директора.


23 мая 1997 г.

1. Научный доклад по докторской диссертации А.Ф.Вяткина
"Кинетические закономерности твердофазных процессов на поверхностях и межфазных границах ".

2. Статьи в печать:

1) Никулов А.В.
"Есть ли вихри в вихревой жидкости?".

2) Литвиненко К., Горшунов А., Лысенко В.Г., Хвам И.М.
"Динамика экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах".

3) Голов Е.Ф., Михайлов Г.М., Редькин А.Н., Фиошко А.М.
"Зондовая нанолитография на пленках аморфного гидрогенизированного углерода".


11 апреля 1997 г.

1. Статьи в печать:

1) Шикина Ю.В.
"Роль начальных условий в проблеме спинодоидального распада".

2) Хлюстиков И.Н.
"Переохлаждение в системе двух сверхпроводников".

3) Гуртовой В.Л., Валяев В.В., Шаповал С.Ю., Пустовит А.Н.
"Электронный транспорт в двойных дельтолегированных структурах GaAs".


14 марта 1997 г.

1. Статьи в печать:

1) Иванов Д.Ю., Морозов С.В., Дубровский Ю.В., Шаповал С.Ю., Валяев В.В., Гуртовой В.Л.
"О подвижности электронов в арсениде галлия с дельта-легированием".

2) Барабаненков М.Ю., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Феклисова О.В., Ярыкин Н.А.
"Влияние природы бомбордирующих ионов на образование радиационных дефектов в кремнии".

3) Акимов А.Г., Барабаненков М.Ю., Мордкович В.Н.
"Формирование пор на границе раздела кремний-металл в структурах кремний - на - изоляторе".

4) Николайчик В.И., Клинкова Л.А., Ходос И.И.
"Сверхструктура оксидов гомологического ряда Bam+nBinOy - BamBim+nOy".


21 февраля 1997 г.

Заседание Ученого совета, посвященное 65-летию со дня рождения Ч.В.Копецкого.


14 февраля 1997 г.

1. Научный доклад Кузнецова С.М.
"Фазо-контрастная визуализация и диагностика слабоискаженных кристаллов и слабопоглощающих объектов в диапазоне жесткого рентгеновского излучения" (на должность СНС).

2. Научный доклад Якшина А.Е.
"Создание и исследование многослойных рентгеновских структур с малым периодом и переменными параметрами" (на должность СНС).

3. Научный доклад Панина Г.Н.
"Исследование низкотемпературной перестройки дефектной структуры многокомпонентных полупроводников методами сканирующей электронной и тунельной микроскопии" (на должность СНС).

4. Научный доклад Пустовита А.Н.
"Разработка ВИМС-диагностики одномерных нанометровых полупроводниковых структур" (на должность СНС).

5. Научный доклад Кононенко О.В.
"Электромиграционностойкие электрические соединения из чистого алюминия и меди для 0.1 мкм технологии" (на должность СНС).

6. Научный доклад Ильина А.И.
"Получение ориентированных пленок для наноструктур на основе легкоплавких металлов" (на должность СНС).

7. Статьи в печать:

1) Ильин А.В., Андреева А.В.
"Зеренная структура и границы совпадения в тонких пленках висмута".

2) Ильин А.И., Андреева А.В., Толкунов Б.Н.
"Получение, микроструктура и электросопротивление субмикронных пленок висмута".

3) Тартаковский А.И., Тимофеев В.Б., Лысенко В.Г., Биркдал Д., Хвам Й.
"Прямые и пространственно непрямые экситоны в GaAs/AlGaAs сверхрешетках в сильном магнитном поле".

4) Николайчик В.Н., Клинкова Л.А., Ходос И.И.
"Сверхструктура оксидов гомологического ряда Bam+nBinOy-BamBim+nOy".

8. Отзыв ведущей организации на диссертацию И.В.Верника
"Вихри в кольцевых джозефсоновских переходах ", представленную на соискание ученой степени к.ф.-м. н.


7 февраля 1997 г.

1. Научный доклад Щелокова И.А.
"Пространственно-временная модуляция рентгеновского излучения" по материалам диссертации.

2. Научный доклад Бешенкова В.Г.
"Диагностика фазового состава тонкопленочных структур микроэлектроники по оже-спектрам при ионном профилировании"
(на должность СНС).

3. Научный доклад Никулова А.В.
"Влияние термодинамических флуктуаций на смешанное состояние сверхпроводников второго рода" (повышение разряда).

4. Статьи в печать:

1) Никулов А.В.
"Комментарий к статье "Резистивное второе критическое поле монокристаллов высокотемпературного сверхпроводника BiSrCaCuO".

2) Бешенков В.Г., Ермолов С.Н., Карпов М.И., Коржов В.П.
"Диагностика фазового состава Y1Ba2Cu3O7-x токонесущих элементов на подложках Сu-Al бронзы по оже-спектрам при ионном профилировании".

3) Бешенков В.Г., Знаменский А.Г., Марченко В.А.
"Совершенные пленки фианита (ZrO2+Y2O3) на кремнии (100)".


15 января1997 г.

1. Сообщение директора об изменении в системе оплаты труда.

2. Голосование на должность старшего научного сотрудника.


27 декабря 1996 г.

1. Статьи в печать:

1) Знаменский А.Г., Марченко В.А.
"Магнетронное распыление при повышенных давлениях: процессы в газовой среде".

2) Маликов И.В., Михайлов Г.М.
"Исследование электрофизических свойств эпитаксиальных пленок молибдена полученных импульсным лазерным излучением".

2. Отчеты по загранкомандировкам:

1) Аристов В.В. (Великобритания).
2) Тулин В.А. (Норвегия).
3) Старков В.В. (Великобритания)
4) Ушаков Н.Г. (Дания)
5) Сироткин В.В. (Финляндия)
6) Вяткин А.Ф. (Швеция)
7) Вдовин Е.Е. (Швеция)

3. Выдвижение на Гос. стипендию молодых ученых (голосование).

4. Сообщение директора.


20 декабря 1996 г.

1. Статьи в печать:

1) Киреев В.А., Разгонов И.И.
" Формирование сигнала модуляционной катодолюминесценции в неоднородных полупроводниках с большой диффузионной длиной".

2) Киреев В.А., Разгонов И.И.
"Латеральное разрешение метода модуляционной катодолюминесценции в образцах с большой диффузионной длиной".

3) Кононенко О.В., Матвеев В.Н., Коваль Ю.И., Дубонос С.В., Волков В.Т.
"Электромиграция в медных проводниках субмикронной ширины".

4) Никулов А.В., Дубонос С.В., Коваль Ю.И.
"Нелокальное сопротивление в флуктуационной области тонкой сверхпроводящей пленки".

5) Грузинцев А.Н.
"Желто-оранжевые электролюминесцентные структуры на основе ZnS:Mn с изменяемым цветом свечения".

6) Волков В.Т., Грузинцев А.Н.
"Влияние отжига в парах собственных компонентов на желтую полосу свечения кристаллов и пленок ZnS:Mn".

2. Отчеты по загранкомандировкам:

1) Михайлов Г.М. (Испания).

2) Дубровский Ю.В. (Франция).


6 декабря 1996 г.

1) Ю.Б.Горбатов, А.Ю.Касумов, В.Н.Матвеев, В.И.Левашов, В.А.Березин, О.В.Кононенко, В.А.Тулин, И.И.Ходос
"Магнитосопротивление гранулированных Ag-Co наномостиков".

2) О.В.Кононенко, В.И.Матвеев
"Взаимосвязь между ростом зерен и образованием бугорков и пор в пленках алюминия".

3) О.В.Кононенко, В.Н.Матвеев
"Улучшение электромиграционной стойкости пленок посредством микроструктурного дизайна".

4) И.Н.Жиляев, И.А.Соснин, С.В.Дубонос, С.Г.Боронин, В.В.Рязанов
"Наблюдение осцилляций сопротивления в сверхпроводящих пленках алюминия малой площади".

5) V.A.Kudryashov, V.V.Krasnov, S.E.Hug, P.D.Prewett and T.J.Hall
"Electron beam lithography using chemically-amplified resist: resolution and profile control".


28 ноября 1996 г.

1. Доклад В.В.Аристова:
"О некоторых мерах по поддержке молодых ученых ИПТМ РАН".
2. Научные доклады выпускников и студентов МФТИ:
1) В.А.Алешин, В.А.Березин, В.А.Тулин
"Исследование критического поведения ферромагнетика вблизи Тс".
2) В.Г.Попов
"Туннелирование между квазидвумерными электронными системами в магнитном поле".
3) Д.Ю.Иванов
"Анизотропия проводимости и остаточная фотопроводимость в одиночных и двойных дельта-слоях GaAs".
4) А.Г.Горшунов, О.В.Дорофеев, А.В.Николаенко, И.Г.Охрименко
"Метод непрерывного исследования эволюции внутреннего состояния системы квазичастиц в многослойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs".
5) В.Н.Григорьев, И.Г.Охрименко, О.В.Дорофеев
"Насыщение экситонного поглощения в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при спектральном разрешении".
6) С.В.Максимов
"Изучение электрических свойств монокристаллических Nb наноструктур".
7) И.А.Соснин, Д.Н.Сысоенков (студент)
"Одноэлектронные эффекты".
8) К.Литвиненко, А.Николаенко, О.Дорофеев, И.Охрименко, В.Г.Лысенко
"Динамика когерентных экситонов в полупроводниковых сверхрешетках".

9) К.Л.Литвиненко, В.Г.Лысенко, И.Г.Охрименко
"Наблюдение непрямых переходов Ванье-Штарковской лестницы в сверхрешетках GaAs/AlGaAs".


1 ноября 1996 г.

1. Статьи в печать:

1) Жиляев И.Н., Соснин И.А., Тусет П., Фоссгейм К.
"Новые резистивные квантовые осцилляции в сверхпроводящих алюминиевых микроструктурах".

2) Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Дубровский Ю.В., Андерссон Т.
"Туннельные резонансы в структурах со ступенчатым барьером".

3) Иванов Д.Ю., Валяев В.В., Дубровский Ю.В., Шаповал С.Ю., Гуртовой В.Л., Морозов С.В., Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Пустовит А.Н.
"Проводимость и замороженная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs с одиночными и двойными дельта-слоями".

2. Отзыв ведущей организации на диссертацию А.М.Мясникова
"Диффузия и активация имплантированных примесей в арсениде и антимониде индия" (Барабаненков М.Ю.).

3. Разное.


11 октября 1996 г.

1. Научный доклад Кузнецова В.И.
"Неравновесная сверхпроводимость в резистивном состоянии двумерных и одномерных каналов".

2. Статьи в печать:

1) В.И.Кузнецов, В.А.Тулин
"Обратный переменный эффект Джозефсона в резистивном состоянии сверхпроводящих оловянных вискеров".

2) В.С.Аврутин, Н.Ф.Изюмская, А.Ф.Вяткин, В.А.Юнкин
"Локальная молекулярно-лучевая эпитаксия Si на кремниевых подложках с мезаструктурами".

3) Л.И.Апаршина, С.И.Дубонос, Ю.И.Коваль, И.В.Маликов, А.В.Черных, Г.М.Михайлов
"Изготовление наноструктур из монокристаллических эпитаксиальных пленок тугоплавких металлов".

4) Г.М.Михайлов, А.В.Черных
"Баллистические эффекты в крестообразной наноструктуре из монокристаллического вольфрама".

5) Г.Г.Сихарулидзе, А.В.Лежнев
"Преобразование жидкости в низкотемпературную плазму в полом катоде".


6 сентября 1996 г.

1. Выступление директора ИПТМ РАН проф. Аристова В.В.