Publications

EpiLAB   IMT   RAS

ECR-deposition and etching

S.Y.Shapoval, V.T.Petrashov, O.A.Popov, A.O.Westner, M.D.Yoder, C.K.C.Lok, Cubic boron nitride films deposited by electron cyclotron resonance plasma, Appl.Phys.Lett., 1990, 57, 1885.
S.Y.Shapoval, V.T.Petrashov, O.A.Popov, A.O.Westner, M.D.Yoder, C.K.C.Lok, Boron nitride films deposited by ECR. A US-Soviet project, III-Vs Review, 4(1), 1991, 38.
S.Y.Shapoval, V.T.Petrashov, O.A.Popov, M.D.Yoder, P.D.Maciel, C.K.C.Lok, Electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition of large area uniform silicon nitride films, J.Vac.Sci.Technol., A (6), 1991, 3071.
S.Shapoval, P.Bulkin, A.Chumakov, et. Al., Compact ECR-source of ions and radicals for semiconductor syrface treatment, Vacuum, 43 (3), 1992, 195.
G.Mikhailov, P.Bulkin, S.Shapoval, et al., XPS investigation of the interactive between ECR-excited hydrogen and the native oxide of GaAs (100), Vacuum, 43 (3), 1992, 199.
O.Popov, S.Shapoval, M.Yoder, A.Chumakov, Electron cyclotron resonance plasma source for metalorganic chemical vapor deposition of silicon oxide films, Vac.Sci.Technol., 12 (2), 1994, 300.
O.Popov, S.Shapoval, M.Yoder, Microwave plasma enhanced chemical vapor deposition in magnetic field below cyclotron resonance, Vac.Sci.Technol., 10 (5), 1992, 3055.
O.Popov, S.Shapoval, M.Yoder, 2.45 GHz microwave plasmas at magnetic fields below ECR, Plasma Sources, Science and Technology, 1 (1), 1992, 7.
S.Shapoval, O.Balvinskii, I.Maximov, A.Chumakov, ECR-silicon nitride for masking of GaAs surface, Crystal properties & Preparation, 19&20, 1989, 169.
С.Шаповал, Ч.Копецкий, О.Бальвинский, Осаждение слоев нитрида кремния с использованием удерживаемой магнитным полем СВЧ-плазмы в условиях, близких к электронному циклотронному резонансу, Поверхность, 3, 1989, 92.
S. Shapoval, Application of the ECR-plasma enhanced deposition and etching in technology of nanostructures, Science for Engineering (Russian) (Наука производству), No. 3 (16), 1999, 7.

S.Shapoval, V.Gurtovoi, A.Kovalchuk, and C.Gaquire, ECR-silicon nitride passivation of III-V transistors, WOCSDICE-2001, Italy, 2001, 163.

 

Delta-doped epitaxial structures.

V.L.Gurtovoi, V.V.Sirotkin, S.Yu.Shapoval, Self-consistent calculation of capacitance-voltage profiles of n-type delta-doped GaAs structures. Submited to Phys.Rev.B.
В.Л.Гуртовой, В.В.Валяев, С.Ю.Шаповал, С.В.Морозов, С.В.Дубонос, А.А.Асрян, А.Н.Пустовит, Дельта-легированные транзисторы с затвором Шоттки на основе GaAs, выращенного методом металлоорганической газофазной эпитаксии, Микроэлектроника, 1999, 28, № 4, 276.
Г.М.Миньков, С.А.Ненашев, О.Э.Рут, А.В.Германенко, В.В.Валяев, В.Л.Гуртовой, Слабая локализация и межподзонные переходы в дельта-легированном GaAs, ФТП, 1998, 32, №12, 1456.
S.Yu.Shapoval, V.L.Gurtovoi, U.Hakanson, L.Samuelson, L.Montelius, Atomic resolution observation of GaAs doped with Sn by scanning tunneling microscopy, Proceedings of 6th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology 98”, St.Petersburg, Russia, 23-27 June, 1998, p. 105-108.
Г.Н.Панин, В.В.Валяев, В.Л.Гуртовой, А.Л.Парахонский, Исследование электрической неоднорости пленок GaAs и AlGaAs, выращенных методом MOCVD, Известия Академии наук, Серия физическая, 1998, 62, №3, 523.
V.L.Gurtovoi, V.V.Valyaev, S.Yu.Shapoval, A.N.Pustovit, Electron transport properties of double delta-doped GaAs structures grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition, Appl.Phys.Lett. 1998, 72, 1202.
В.В.Валяев, В.Л.Гуртовой, Д.Ю.Иванов, С.В.Морозов, В.В.Сироткин, Ю.В.Дубровский, С.Ю.Шаповал, Ю.Н.Ханин, Е.Е.Вдовин, А.Н.Пустовит, Проводимость и замороженная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs с одиночными и двойными дельта-слоями, ЖЭТФ, 1997, 113, вып.2, 693.
Д.Ю.Иванов, С.В.Морозов, Ю.В.Дубровский, С.Ю.Шаповал, В.В.Валяев, В.Л.Гуртовой, О подвижности электронов в дельта-слоях при диамагнитном выталкивании уровней размерного квантования, Письма в ЖЭТФ, 1995, 66, вып.11, 704.
В.Л.Гуртовой, В.В.Дремов, В.А.Макаренко, С.Ю.Шаповал, Наблюдение атомарной структуры пассивированной в водородной ЭЦР плазме поверхности Si(111) с помощью сканирующего туннельного микроскопа на воздухе, ФТП, 1995, 29, №10, 1888.
В.В.Валяев, В.Л.Гуртовой, С.Ю.Шаповал, В.А.Киреев, Н.В.Смирнов, Эпитаксиальный рост высокочистого GaAs методом МОС гидридного осаждения с использованием криофильтрационной очистки арсина, ФТП, 1995, 29, №1, 175.
A.Balandin, S.Morozov, G.Wijeratne, S.J.Cai, R.Li, K.L.Wang, C.R.Viswanathan, Yu.Dubrovskii, Effect of channel doping on the low-frequency noise in GaN/AlGaN/SiC heterostructure field effect transistors, accepted for publication in Appl.Phys.Lett.
V.Gurtovoi, V.Valyaev, S.Shapoval, etc., MOCVD delta-doped GaAs structures for power microwave transistors, WOCSDICE-2000, Greece, 2000,VI.1.

 

Application of nanoprobe for diagnostics

V.Dremov, S.Shapoval, Quantization of the conductance of metal nanocontacts at room temperature, JETP Letters, vol.61, No.4, 1995, 336.
S.Shapoval, V.Gurtovoi, V.Valyaev, V.Sirotkin, I.Smirnova, Metal nanoprobe induced electrostatic quantization in near surface delta-doped GaAs structure at 300K, Proceedings of International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St Petersburg, Russia, 1997, 22.
V.Drtemov, V.Makarenko, S.Shapoval, et al., Sharp and clean tungsten tips for STM investigations, Nanobiology, 1995, No.3, 83-88.
V.Dremov, S.Shapoval, The ballistic electron emission in vacuum, Proceedings of International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St Petersburg, Russia,
S.Shapoval, Low-dimensional effects based on nanocontacts application,

 

Si-devices

S.Shapoval, Epitaxial growth of silicon on spinel, Microelectronics (Rus.), Ivanovo, 1975, 89-93.
I.Lapidus, S.Shapoval, V.Malyshev, V.Vostrikov, Doping of epitaxial silicon film with phosphorus compounds, Industrial Laboratory, vol.43, No.3, 1977, 335.
S.Shapoval, I.Lapidus, V.Malyshev, Investigation of concentration profile in Si epitaxial structures, Microelectronics (Rus.), v. 3, No. 1(93), 1978, 10-12.
I.Lapidus, V.Malyshev, S.Shapoval, V.Vostrikov, Method of gases mixture preparation, USSR patent, No. 993766, 26.06.1981.
V.Malyshev, I.Lapidus, S.Shapoval, Yu.Polikanov, Infuence of oxidation staking faults on pn-junction parameters in Si epitaxial structures, Electronics Engineering (Rus.), V.2, No. 3(121), 1978, 58-64.
I.Lapidus, V.Malyshev, S.Shapoval, Investigation of formation and gettering of oxidation staking faults in Si epitaxial structures, Electronics Engineering (Rus.), V.2, No.1, 1979, 57-64.
I.Lapidus, I.Skvortsov, S.Shapoval, Method of semiconductor devices manufacturing, USSR patent, No. 646796, 15.03.1977.
S.Shapoval, S.Putintsev, Improvement of parameters of bipolar memory IC’s with Shottky barriers, Microelectronics circuits (Rus.), V.10, No.1(99), 1984, 37.
S.Shapoval, V.Jarovoi, N.Korkman, Method of deposition of silicon dioxide film, USSR patent, No. 1037803, 01.12.1981.
S.Shapoval, V.Perepelkin, Technology of IC manufacturing based on PtSi application, USSR patent, Nj., 30.03.1984.
Ch.Kopetskii, S.Shapoval, E.Omeljanovskii, et al., Method of passivation of electrically active centers in Si and GaAs, USSR patent, No. 1435068, 27.02.1987.
S.Shapoval, O.Balvinskii, I.Malikov, A.Chumakov, L.Niselson, Chemical vapour deposition of tungsten layers at low substrate temperature, Applied Surface Science, 45, 1990, 257-262.
S.Shapoval, Method of metal film deposition, USSR patent, 1607640, 21.01.1988.

 

2003

Доклады на конференциях:

Low-resistivity ohmic contacts for AlGaN/GaN heterostructure transistors: V.L. Gurtovoi, S.Yu. Shapoval, V.E. Zemlyakov, V.A. Krasnik, A.M. Temnov, V.A. Gudkov, 2-nd Russian Conference “Gallium, Aluminum and Indium Nitrides”, February 3-4, 2003, Saint Peterburg.
Study of physical and technological limits for AlGaN/GaN transistors: V.L. Gurtovoi, V.V. Sirotkin, V.E. Zemlyakov, and S.Yu. Shapoval: The 27 TH Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE-2003), May 26-28, 2003, Furigen, Switzerland, p. 31-32.
Sub-100 nm III-nitride transistors: physical and technological limits: V.L. Gurtovoi, V.V.Sirotkin, V.E. Zemlyakov, A.V. Kovalchuk and S.Yu. Shapoval, 11th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, June 21-28, 2003, St.Petersburg, Russia, 226 p.
Investigation of physical and technological limits for sub-100 nm III-nitride, nitride transistors, S.Shapoval, International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2003” (ICMNE-2003), October 6-10, 2003, Moscow-Zvenigorod, Russia, L3-10.
Uncooled microbolometer based on microbridge structure technology: Yu. Chetverov, S. Shapoval, International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2003” (ICMNE-2003), October 6-10, 2003, Moscow-Zvenigorod, Russia, P2-111.
Dehydrogenation of Low Temperature ECR-Plasma Silicon Nitride Films under Rapid Thermal Annealing: A. Kovalchuk, G. Beshkov and S. Shapoval, Thirteenth international summer school on vacuum, electron and ion technologies, 15-19 September, 2003, Varna, Bulgaria, Program abstracts, p. 35
Low temperature ECR-PECVD of silicon nitride on Teflon®FEP films: A. Bardin, A. Kovalchuk, and S. Shapoval, Thirteenth international summer school on vacuum, electron and ion technologies, 15-19 September, 2003, Varna, Bulgaria, Program abstracts, p. 73

    Статья:

    Microfabricated adhesive mimicking gecko foot-hair: A.K. Geim, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, K.S. Novoselov, A.A. Zhukov, and S.Yu. Shapoval, Nature Materials, June 1, 2003, p.461-463.

    2004

    Доклады на конференциях:

     

О нестабильности рабочих характеристик гетероструктурных полевых AlGaN/GaN транзисторов: С. Шаповал, В. Сироткин, А. Ковальчук, В. Земляков, III Всероссийская конференция “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физический факультет МГУ, Москва, 7-9 июня 2004
Instability of the Induced Potential Distribution in Undoped AlGaN HEMTs and SiC transistor structures: S. Shapoval, V. Sirotkin, A. Kovalchuk, V. Zemlyakov, E. Yakimov, V. Gudkov, 12th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, June 21-25, 2004, St.Petersburg, Russia, p. 192-193
“Gecko-style” dry adhesives on flexible substrate: S. Shapoval, A.Geim, S. Dubonos, I. Grigorieva, K. Novoselov and A.Zhukov, 12th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, June 21-25, 2004, St.Petersburg, Russia, p.201-202
Instability of the Induced Potential Distribution in Undoped AlGaN HEMTs and SiC transistor structures: S. Shapoval, V. Sirotkin, A. Kovalchuk, V. Zemlyakov, E. Yakimov, V. Gudkov, The 28 TH Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE-2004), May 17-19, 2004, Smolenice Castle, Slovakia, p. 15-16.
Низкотемпературное ЭЦР-плазменное нанесение нитрида кремния на полимерные пленки: А.А. Бардин, А.В. Ковальчук, С.Ю. Шаповал, Всероссийская научная конференция по физике низкотемпературной плазмы ФНТП-2004: материалы, Петрозаводск, Россия, 28-30 июня 2004, стр. 112-116
Применение ЭЦР-плазмы в технологии наноструктур: С.Ю. Шаповал, Всероссийская научная конференция по физике низкотемпературной плазмы ФНТП-2004: материалы, Петрозаводск, Россия, 28-30 июня 2004, стр. 155-161
Применение плазменных процессов в производстве СВЧ-транзисторов в длинной затвора 0.1 мкм: В.Е. Земляков, Н.Е. Антонова, В.А. Красник, С.Ю. Шаповал, Всероссийская научная конференция по физике низкотемпературной плазмы ФНТП-2004: материалы, Петрозаводск, Россия, 28-30 июня 2004, стр. 161-163
Исследование взаимосвязи состава и структуры слоев GaN/Si (111) и параметров роста в условиях ЭЦР-плазмы: А.В. Ковальчук, М.Н. Ковальчук, И.И.Ходос, С.Ю. Шаповал, Всероссийская научная конференция по физике низкотемпературной плазмы ФНТП-2004: материалы, Петрозаводск, Россия, 28-30 июня 2004, стр. 191-196
Исследование сухих адгезивов на основе полиимидных нановорсинок, Бардин А.А., Егоров В.А., Шаповал С.Ю., Современная химическая физика: XVI симпозиум, Туапсе, Россия, 20 сентября –1 октября 2004, стр.120-121.
ECR-plazma equipment application for nanotechnology, S. Shapoval, V. Borodin, V. Gorbunov, A. Veretennikov, 7th Inernational Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology: Proceedings, October 18-21, 2004, Beijing, China, v.I, p. 571-574
Instability of the induced potential distribution in undoped AlGaN/GaN HEMTs and SiC transistor structures: S. Shapoval, V. Sirotkin, A. Kovalchuk, V.Zemlyakov, E. Yakimov and V.Yakimov, 7th Inernational Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology: Proceedings, October 18-21, 2004, Beijing, China,v. III, p. 2277-2279

Статья:

Polyimide coating texture development by ECR-plasma etching: Petr G. Babaevsky, Andrey A. Zhukov, Svetlana A. Zhukova, Yury S. Tchetverov, Sergei Y. Shapoval, Sixth Seminar on Problems of Theoretical and Applied Electron and Ion Optics, Proceedings of SPIE Volume: 5398, 2004, p. 166-171.