Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 ОБЩАЯ | НОВОСТИ АСПИРАНТУРЫ | МФТИ | МГУ | МИСИС | КУРСЫ ЛЕКЦИЙ 

ОБРАЗОВАНИЕ В ИПТМ РАН





слово,
как прописано:

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) был создан в 1983. Практически 100% штата научных сотрудников института составляют выпускники базовых кафедр Московского Физико-Технического Института (Кафедра физики и технологии наноэлектроники, Факультет физической и квантовой электроники, МФТИ), Московского Государственного Института Стали и Сплавов (Кафедра физического материаловедения, Физико-химический факультет, МИСиС) и Московского Государственного Университета им. М.В. Ломоносова (Кафедра физической электроники, Физический факультет, МГУ).

Большинство научных сотрудников института прошли школу интегрированных образовательных структур (ИОС): с 3-го курса обучения на базовых кафедрах студенты выполняли в научных лабораториях ИПТМ РАН курсовые научно- исследовательские работы; на 5-6-х курсах студенты выполняли в институте дипломные работы; после окончания высших учебных заведений, хорошо зарекомендовавшие себя студенты приглашались для прохождения 2-х годичной стажировки, после которой поступали в аспирантуру при ИПТМ РАН; после окончания аспирантуры и защиты диссертации кандидата наук, большинство молодых людей поступало на постоянную работу в ИПТМ РАН. По возрастному критерию ИПТМ РАН является одной из самых молодых организаций Российской Академии Наук: средний возраст научных сотрудников составляет 48 лет. Данный критерий достигается тем, что в ИПТМ в настоящее время существует ИОС и штат научных сотрудников ежегодно пополняется выпускниками базовых кафедр МФТИ, МИСиС и МГУ.

На базе ИПТМ РАН создана и успешно функционирует Кафедра физики и технологии наноэлектроники ФФКЭ МФТИ, филиал Кафедры физического материаловедения Физико-химического факультета МИСиС:

  • научными сотрудниками ИПТМ РАН, чьи работы являются наиболее авторитетными и представлены в ведущих научных изданиях и на научных форумах международного уровня, разработаны и усовершенствованы базовые учебные курсы лекций и практикумов: "Введение в наноэлектронику", "Спектральные методы в полупроводниках", "Электронный транспорт в наноструктурах", "Технология наноструктур", "Дефекты в полупроводниках", "Радиационная обработка поверхности" (Взаимодействие лазерных, электронных и ионных пучков с поверхностью твердых тел), "Физика поверхности" (Элементарные возбуждения на поверхности твердого тела), "Анализ поверхности", "Рентгеновская оптика", "Микрофотоника", которые используются при подготовке студентов и аспирантов в области квантовой электроники, физики и технологии наноэлектроники, нелинейной оптики, оптоэлектроники, полупроводниковой сверхвысокочастотной техники, стажировке и повышении квалификации специалистов в области физических основ полупроводниковой техники терагерцового диапазона частот;
  • для помощи в выборе базовой кафедры в ИПТМ РАН ежегодно проводится ознакомительная практика студентов третьего курса МФТИ, студентов МИСиС и МГУ;
  • студенты, аспиранты и молодые научные сотрудники регулярно принимают участие в научной молодежной конференции МФТИ, которая помогает выявить молодой научный потенциал ИПТМ РАН и позволяет познакомить с новейшими результатами научных исследований, проводимых в институте. Результаты совместных со студентами и аспирантами научных исследований в лабораториях ИПТМ РАН находятся на переднем крае развития мировой науки.

Основные научные направления ИПТМ РАН, по которым ведутся исследования с привлечением молодежи:

  1. Субмикронные технологические процессы и оборудование микроэлектроники, перспективные технологические процессы на основе эффектов в плазме, электронно-ионных и фотонных пучках,
  2. Интегрированные технологические процессы для многофункциональных кластерных систем нового поколения,
  3. Новые диагностические методы и оборудование для метрологии, анализа компонентов и микроструктур в технологии микро- и наноэлектроники,
  4. Перспективная элементная база микроэлектроники,
  5. Приборы и технологические процессы наноэлектроники,
  6. Моделирование приборов, технологических процессов и оборудования.

Привлечение студентов, аспирантов и молодых ученых к участию в проводимой ИПТМ РАН научно-исследовательской работе включает в себя подготовку совместных докладов для участия в школах, конференциях и совещаниях, а также в работе по программам отечественных (РФФИ, Министерство образования и науки РФ) и зарубежных проектов (INTAS, CRDF, NATO, CNRS).

Студенты, аспиранты и молодые ученые ИПТМ РАН ежегодно являются участниками престижных конференций:

  • International Symposium "Nanostructures: physics and technology",
  • Российской конференции по физике полупроводников,
  • International Conference "Mesoscopic and strongly correlated electron systems",
  • International conference on high-magnetic fields in semiconductor physics,
  • Всероссийского совещания по физике низких температур,
  • Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике,
  • Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлектроника",
  • Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging,
  • Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов,
  • International Synchrotron Radiation Conference.

Проведение молодежных конференций и школ позволяет молодым ученым получить багаж знаний, необходимых для успешной научной работы, познакомиться с новыми результатами, полученными в других научных коллективах и центрах.